晶閘管調(diào)光電路主電路部分由二極管V5、V6和晶閘管V8、V9構成單相半控橋式整流電路，其輸出的直流可調(diào)電壓作為燈泡EL的電源。改變V8、V9控制極脈沖電壓的相位，即改變V8、V9控制角的大小，便可以改變輸出直流電壓的大小，進而改變燈泡EL的亮度?？刂齐娐酚蓡谓Y晶體管觸發(fā)電路構成，其作用是為V8、V9的控制極提供觸發(fā)脈沖電壓。調(diào)節(jié)電位器RP的大小可改變觸發(fā)脈沖的相位。脈沖形成是梯形同步電壓，經(jīng)RP、R3對C充電，C兩端電壓上升到單結晶體管峰點電壓Up時，單結晶體管由截止變?yōu)閷?，由電容C通過e—b，、R5放電。放電電流在電阻R5上產(chǎn)生一組尖頂脈沖電壓，由R5輸出一組觸發(fā)脈沖，其中個脈沖使晶閘管觸發(fā)導通，后面的脈沖對晶閘管的工作沒有影響。隨著C的放電，當電容兩端電壓下降至單結晶體管谷點電壓Uv時，單結晶體管重新截止；電容C重新充電，重復上述過程，R5上又輸出一組尖頂脈沖電壓，這個過程反復進行。當梯形電壓過零點時，電容C兩端電壓也為零，因此電容每一次連續(xù)充放電的起點，就是電源電壓過零點，這樣就保證輸出脈沖電壓頻率和電源頻率同步。三、工具與測量儀表及電路元件明細表電路元件明細表晶閘管調(diào)光電路的元件明細表如表12—1所示。四、安裝與調(diào)試。正高電氣用先進的生產(chǎn)工藝和規(guī)范的質(zhì)量管理，打造優(yōu)良的產(chǎn)品！濟南MTAC150晶閘管智能模塊供應商

晶閘管智能模塊導通角與模塊輸出電流的關系

晶閘管模塊的導通角與模塊能輸出的較大電流有直接關系，模塊的標稱電流是較大導通角時能輸出的較大電流。在小導通角（輸出電壓與輸入電壓比值很小）下輸出的電流峰值很大，但電流的有效值很?。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時比實際值?。禽敵鲭娏鞯挠行е岛艽?，半導體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。因此，模塊應選擇在極較大導通角的65％以上工作，及控制電壓應在5V以上。 威海MTDC150晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家正高電氣具備雄厚的實力和豐富的實踐經(jīng)驗。

 某加熱爐控制柜，需要控制額定電壓為380V，比較大工作電流為150A的加熱爐，應使用什么規(guī)格型號的模塊？

《使用說明書》中的選型計算公式：I>K×I負載×U比較大/U實際

K：安全系數(shù)，阻性負載K=1點5，感性負載K=2

I負載：負載流過的比較大電流

U比較大：負載上的**小電壓

U實際：模塊能輸出的比較大電壓（三相整流模塊為輸入電壓的1點35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0點9倍，其余規(guī)格均為1點0倍）

I：需要選擇模塊的**小電流，模塊標稱的電流必須大于該值。

晶閘管智能模塊的應用領域

晶閘管智能模塊普遍應用于溫度控制、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、焊機、等離子弧焊、逆變電源等領域，如工業(yè)、通訊、等電氣控制、電源等。根據(jù)模塊的控制端口，可以與多功能控制板連接，實現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功能，可實現(xiàn)過熱、缺乏等保護功能。

晶閘管智能模塊的控制方式

該輸入模塊控制該接口的可調(diào)節(jié)電壓或電流信號，該模塊的輸出電壓可通過調(diào)整該信號的大小來平穩(wěn)地調(diào)節(jié)，以實現(xiàn)將該模塊的輸出電壓從0V切換到任意一個或全部的過程。

電壓或電流信號可從各種控制儀表和計算機D/A輸出中獲取，電位器可直接與直流電源分開，控制信號采用3種常用的控制形式：0-5V、0-10V、4-20mA。

正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品受到用戶的一致稱贊。

    中頻電壓互感器過來的中頻電壓信號由CON2-1和CON2-2輸入后，分為兩路，一路由IC1A進行電平轉(zhuǎn)換后送到IC6的30P，另一路經(jīng)D7-D10整流后，又分為兩路，一路送到電壓/電流調(diào)節(jié)器，另一路送到過電壓保護。由主回路交流互感器取得的電流信號，先在外部轉(zhuǎn)換成電壓信號，從CON2-3、CON2-4、CON2-5輸入，經(jīng)二極管D11-D16整流后，再分為兩路，一路作為過流保護信號，另一路作為電壓/電流調(diào)節(jié)器的反饋信號。本電路逆變觸發(fā)部分，采用的是掃頻式零壓軟起動，只需取一路中頻電壓反饋信號，無需槽路中頻電容器上的電流信號，其本質(zhì)上相當于它激轉(zhuǎn)自激電路，屬于平均值反饋電路。由于主回路上無需附加任何起動電路，不需要預充磁或預充電的起動過程，因此，主回路得以簡化，調(diào)試過程簡單。起動過程大致是這樣的，在逆變電路起動前，先以一個高于槽路諧振頻率的它激信號去觸發(fā)逆變晶閘管，當電路檢測到主回路開始有直流電流時，便控制它激信號的頻率從高向低掃描，同時加大主回路的直流電流，當它激信號頻率下降到接近槽路諧振頻率時，中頻電壓便建立起來，并反饋到自動調(diào)頻電路。自動調(diào)頻電路一旦投入工作，便停止它激信號的頻率往低掃描動作，轉(zhuǎn)由自動調(diào)頻電路控制逆變動引前角。正高電氣提供周到的解決方案，滿足客戶不同的服務需要。青島MTDC100晶閘管智能模塊廠家

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    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡，該網(wǎng)絡常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結結面相當于一個電容C0。當晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結，這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下，晶閘管(可控硅)誤導通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡。濟南MTAC150晶閘管智能模塊供應商

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