ESD保護二極管的客戶群體非常廣,主要包括電子設(shè)備制造商、電子元器件代理商、電子維修服務(wù)商等。這些客戶對ESD保護二極管的要求非常高,需要具有響應(yīng)速度快、ESD保護效果好、可靠性高等特點,以確保電子設(shè)備的正常運行和穩(wěn)定性。二、市場環(huán)境隨著電子設(shè)備的普及和應(yīng)用范圍的不斷擴大,ESD保護二極管的市場需求也在不斷增加。尤其是在高科技領(lǐng)域,如通信、計算機、汽車電子等領(lǐng)域,對ESD保護二極管的需求更加迫切。同時,隨著電子設(shè)備的不斷升級和更新,對ESD保護二極管的要求也在不斷提高,需要具有更高的性能和可靠性。采用多級保護電路,可以很好地提高保護效果。深圳新型ESD保護二極管SR12D3BL怎么樣
低鉗位電壓(V(C))和***峰值電壓:采用IEC 61000-4-2規(guī)定ESD波形時,高低鉗位電壓(V(C))ESD保護二極管的波形效果。這些波形采集于受保護器件(DUP)輸入端。具有低V(C )的ESD保護二極管在30ns和60ns處鉗位電壓低于具有高V(C)的ESD保護二極管。ESD波形曲線下的面積越小,受保護器件(DUP)受到的損壞越小。因此,具有低V(C)的ESD保護二極管可提供更好的ESD脈沖保護。此外,一些ESD保護二極管在ESD進入后不會立即響應(yīng)。因此,如果ESD脈沖***峰值電壓高于ESD保護二極管的V(C),則可能施加到受保護器件,造成故障或破壞。ESD保護二極管響應(yīng)速度高于其他類型保護器件。此外,東芝正在優(yōu)化芯片工藝和內(nèi)部器件結(jié)構(gòu),進一步降低***個峰值電壓,從而在初始階段對ESD峰值電壓提供更可靠的保護。廣州定制ESD保護二極管SR15D3BL型號近期價格當靜電電壓達到一定程度時,會通過電子設(shè)備的接口、引腳等部位放電。
ESD保護二極管通常放在信號線與GND之間。因此,這些二極管在穩(wěn)態(tài)下充當電容器。由于它們的電容和信號線的電阻組成低通濾波器(LPF),因此ESD保護二極管會造成插入損耗(IL),降低信號質(zhì)量,取決其速度(特別是USB 3.0和USB 3.1等高速信號質(zhì)量)。當浪涌或外部噪聲通過連接器進入系統(tǒng)時,對后面器件(如IC)的影響很大程度上取決于是否有ESD保護二極管。沒有ESD保護二極管,浪涌電流全部直接流入敏感器件,造成器件故障或損壞。如果電路有ESD保護二極管,大部分浪涌電流通過它們分流到GND。ESD保護二極管動態(tài)電阻(Rdyn)表示浪涌電流分流到GND的難易程度。低動態(tài)電流ESD保護二極管能將更多浪涌電流分流到GND。這種二極管也有助于降低動態(tài)電阻,即端子之間電阻的電壓(稱為鉗位電壓)。ESD保護二極管動態(tài)電阻低,可減小流入受保護器件(DUP)的浪涌電流,從而為DUP提供更可靠保護。
ESD保護二極管在移動通信設(shè)備、Wi-Fi模塊和藍牙設(shè)備中,通信端口的保護至關(guān)重要。這些設(shè)備的天線接口和信號傳輸路徑很容易受到靜電放電的干擾,使用ESD保護二極管能在極短時間內(nèi)響應(yīng)靜電放電事件,防止過高的電壓進入電路,從而保護射頻前端和基帶處理器等關(guān)鍵組件。電源線路也是靜電放電容易侵入的路徑之一。ESD保護二極管可用于保護直流電源線和交流電源線,避免靜電放電對電源管理IC和其他關(guān)鍵電源電路的影響。在這種應(yīng)用中,ESD保護二極管被放置在電源輸入端,當靜電放電發(fā)生時,二極管會迅速分流靜電電荷,防止電源電壓劇烈波動。星河微ESD靜電保護二極管采用了優(yōu)越的技術(shù)和材料可以快速地吸收和釋放靜電放電,從而保護設(shè)備免受損害。
IPP是ESD保護二極管本身損壞之前可以分流的峰值脈沖電流。電壓低于工作峰值反向電壓時,ESD保護二極管阻抗非常高。(即使施加工作峰值反向電壓,也只有小于規(guī)定漏電流的電流流過。)設(shè)計師可以用這個參數(shù)作為指導(dǎo),確保其高于被保護信號線的最大工作電壓。CT是在指定反向電壓和頻率下施加小信號時,二極管端子上的等效電容??傠娙菔嵌O管的結(jié)電容與其封裝的寄生電容之和。結(jié)電容隨反向電壓的增加而減少。動態(tài)電阻是指ESD保護二極管隨著反向電壓的增加反向擊穿時,VBR與VC之間VF–IF 曲線的電流斜率。下面描述的動態(tài)電阻和鉗位電壓表示ESD保護二極管的ESD性能。盡量減少ESD保護二極管和受保護線路以及GND之間的串聯(lián)走線電感。廣州標準ESD保護二極管
根據(jù)客戶的需求和設(shè)備的特點,可以設(shè)計合適的ESD靜電保護二極管的應(yīng)用方案。深圳新型ESD保護二極管SR12D3BL怎么樣
反向擊穿電壓由齊納擊穿或雪崩擊穿決定。當pn結(jié)反向偏置時,耗盡層延伸穿過pn結(jié)。電場造成耗盡層內(nèi)p型區(qū)價帶與n型區(qū)導(dǎo)帶之間的間隙減小。因此,由于量子隧穿效應(yīng),電子從p型區(qū)價帶隧穿到n型區(qū)導(dǎo)帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區(qū)導(dǎo)致反向電流突然增加的現(xiàn)象。齊納擊穿如圖1.3所示。當pn反向偏置時,少量電子通過pn結(jié)。這些電子在耗盡層被電場加速,獲得較大動能。加速電子與晶格中的原子碰撞電離產(chǎn)生電子空穴。這些原子的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶并脫離,成為自由電子。自由電子也加速并與其他原子碰撞,產(chǎn)生更多的電子-空穴對,導(dǎo)致電子進一步脫離的過程。這種現(xiàn)象稱為雪崩擊穿。深圳新型ESD保護二極管SR12D3BL怎么樣