超大規(guī)模集成電路制造過程中要反復(fù)用到的濺射（Sputtering）工藝屬于PVD技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。一般來說，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構(gòu)成，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料，屬于濺射靶材的主要部分，在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上制成電子薄膜；由于高純度金屬強度較低，而濺射靶材需要安裝在特定的機臺內(nèi)完成濺射過程，機臺內(nèi)部為高電壓、高真空環(huán)境，因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過不同的焊接工藝進(jìn)行接合，背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，且需要具備良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能。 ITO靶材中氧化銦：氧化錫的配比分為90:10，93:7，95:5, 97:3, 99:1。安徽陶瓷靶材生產(chǎn)企業(yè)

靶材主要用于生成太陽能薄膜電池的背電極，晶體硅太陽能電池較少用到濺射靶材。太陽能電池主要包括晶體硅太陽能電池和薄膜太陽能電池，晶體硅太陽能電池轉(zhuǎn)化效率較高、性能穩(wěn)定，且各個產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)比較成熟，占據(jù)了太陽能電池市場的主導(dǎo)地位。而晶體硅太陽能電池按照生產(chǎn)工藝不同可分為硅片涂覆型太陽能電池以及PVD工藝高轉(zhuǎn)化率硅片太陽能電池，其中硅片涂覆型太陽能電池的生產(chǎn)不使用濺射靶材，目前靶材主要用于太陽能薄膜電池領(lǐng)域。靶材濺射鍍膜形成的太陽能薄膜電池的背電級主要有三個用途：一，它是各單體電池的負(fù)極；二，它是各自電池串聯(lián)的導(dǎo)電通道；三，它可以增加太陽能電池對光的反射。太陽能薄膜電池用濺射靶材主要為方形板狀，對純度要求沒有半導(dǎo)體芯片用靶材要求高，一般在。目前制備太陽能電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等。其中鋁靶、銅靶用于導(dǎo)電層薄膜，鉬靶、鉻靶用于阻擋層薄膜，ITO靶、AZO靶用于透明導(dǎo)電層薄膜。廣西氧化物陶瓷靶材一般多少錢ITO主要用于制作液晶顯示器、平板顯示器、等離子顯示器、觸摸屏、電子紙、有機發(fā)光二極管。

磁控濺射鍍膜是一種新型的氣相鍍膜方式,就是用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材濺射是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。各種類型的濺射薄膜材料無論在半導(dǎo)體集成電路、記錄介質(zhì)、平面顯示以及工件表面涂層等方面都得到了廣的應(yīng)用。制程反應(yīng)室內(nèi)部的高溫與高真空環(huán)境，可使這些金屬原子結(jié)成晶粒，再透過微影圖案化與蝕刻，終一層層金屬導(dǎo)線，而芯片的數(shù)據(jù)傳輸全靠這些金屬導(dǎo)線。濺射靶材主要應(yīng)用于電子及信息產(chǎn)業(yè)，如集成電路、信息存儲、液晶顯示屏、激光存儲器、電子控制器件等；亦可應(yīng)用于玻璃鍍膜領(lǐng)域；還可以應(yīng)用于耐磨材料、高溫耐蝕、裝飾用品等行業(yè)。

靶材綁定背板流程：一、什么是綁定綁定是指用焊料將靶材與背靶焊接起來。主要有三種的方式：壓接、釬焊和導(dǎo)電膠。靶材綁定常用釬焊，釬料常用In、Sn、In–Sn，一般使用軟釬料的情況下，要求濺射功率小于20W/㎝2。二、為什么要綁定1、防止靶材受熱不勻碎裂，例如ITO、SiO2、陶瓷等脆性靶材及燒結(jié)靶材；2、節(jié)省成本，防止變形，如靶材太貴，可將靶材做薄些，綁定背靶以防止變形。三、背靶的選擇1、常用無氧銅，導(dǎo)電性好，無氧銅的導(dǎo)熱性比紫銅好；2、厚度適中，一般建議背靶厚度3mm左右。太厚，消耗部分磁強；太薄，容易變形。四、綁定過程1、綁定前將靶材和背靶表面預(yù)處理2、將靶材和背靶放置在釬焊臺上，升溫到綁定溫度3、將靶材和背靶金屬化4、粘接靶材和背靶5、降溫和后處理五、綁定靶材使用的注意事項1、濺射溫度不宜太高2、電流要緩慢加大3、循環(huán)冷卻水應(yīng)低于35攝氏度4、適宜的靶材致密度。靶材開裂影響因素裂紋形成通常發(fā)生在陶瓷濺射靶材和脆性材料濺射靶材（如鉻、銻、鉍等）中。

ITO靶材，氧化銦錫（Indium Tin Oxide），一種重要的透明導(dǎo)電材料。在薄膜制備領(lǐng)域，ITO靶材作為一種基本的原材料，被廣泛應(yīng)用于電子和光電子設(shè)備中。它能在保持高透明度的同時，提供良好的電導(dǎo)性，這使得ITO成為制備透明導(dǎo)電薄膜的理想選擇。ITO靶材是由銦（In）和錫（Sn）兩種元素在氧化環(huán)境下形成的化合物?；瘜W(xué)公式為In2O3：SnO2，通常情況，銦和錫的比例在重量上大約為 90:10。這種特定的化學(xué)組合確保了材料的高透明度，良好的電導(dǎo)性。銦的主要作用是提供高電導(dǎo)性，錫的加入用于增強整個材料的化學(xué)穩(wěn)定性和機械硬度。在顯示面板和觸控屏兩個產(chǎn)品生產(chǎn)環(huán)節(jié)需要使用靶材，主要用于ITO玻璃及觸控屏電極，用量比較大的是ITO靶材。河南光伏行業(yè)陶瓷靶材

ITO靶材的制備方法主要有4種，分別為熱壓法、熱等靜壓法、常溫?zé)Y(jié)法、冷等靜壓法。冷等靜壓優(yōu)勢突出。安徽陶瓷靶材生產(chǎn)企業(yè)

磁控濺射時靶材表面變黑我們可以想到的1、可能靶材是多孔的，（細(xì)孔）在孔中有一些有機污染物（極端可能性）；2、可能靶材有點粗糙，用紙巾用異丙醇擦拭，粗糙的表面在目標(biāo)表面保留了一些細(xì)薄的組織纖維，這可能是碳污染的來源；3、沉積速率可能相當(dāng)高，并產(chǎn)生非常粗糙的沉積物；4、基板與靶材保持非常接近，在目前的濺射條件下（功率、壓力、子靶材距離）有一些發(fā)熱，氣體中有一些污染；5、真空室漏氣或漏水，真空室內(nèi)有揮發(fā)的成分，沒有充入氬氣，充入空氣或其他氣體，可能引起中毒，這些成分與靶材反應(yīng)，變成黑色物質(zhì)覆蓋靶材表面。安徽陶瓷靶材生產(chǎn)企業(yè)