光伏投資項(xiàng)目的投資回報(bào)受多重因素影響
光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)能效提升新策略:科技創(chuàng)新帶領(lǐng)綠色發(fā)展
易陽(yáng)電容器儲(chǔ)能廠家生產(chǎn)設(shè)備先進(jìn)性探析
光伏項(xiàng)目的運(yùn)營(yíng)管理模式
儲(chǔ)能技術(shù)在能源管理系統(tǒng)中的應(yīng)用
新能源儲(chǔ)能技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用程度探析
鋰電池儲(chǔ)能系統(tǒng)是否支持智能充電管理?
便攜式電力儲(chǔ)能設(shè)備是否支持多接口充電?
便攜式電力儲(chǔ)能電站:移動(dòng)應(yīng)用的新星
電網(wǎng)儲(chǔ)能:促進(jìn)電力市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的新動(dòng)力
模擬模塊無(wú)法從較低的工藝集成中受益。正因?yàn)槿绱耍⑶矣捎谠噲D將模擬模塊保留在sperate工藝技術(shù)(BCD,BiCMOS,SiGe)上的復(fù)雜性增加,這使得SiP成為縮小系統(tǒng)尺寸的更具吸引力的選擇。天線、MEMS 傳感器、無(wú)源元件(例如:大電感器)等外部器件無(wú)法裝入 SoC。因此,工程師需要使用SiP技術(shù)為客戶提供完整的解決方案。交付模塊而不是芯片是一種趨勢(shì),由于無(wú)線應(yīng)用(如藍(lán)牙模塊)而開(kāi)始,以幫助客戶快速進(jìn)入市場(chǎng),而無(wú)需從頭開(kāi)始設(shè)計(jì)。相反,他們使用由整個(gè)系統(tǒng)組成的SiP模塊。SiP封裝基板具有薄形化、高密度、高精度等技術(shù)特點(diǎn)。貴州SIP封裝方案
系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)種類繁多,裸片與無(wú)源器件貼片,植球——將焊錫球置于基板焊盤(pán)上,用于電氣連接,回流焊接(反面)——通過(guò)控制加溫熔化焊料達(dá)到器件與基板間的,鍵合,塑封(Molding)——注入塑封材料包裹和保護(hù)裸片及器件,減薄——通過(guò)研磨將多余的塑封材料去除,BGA植球——進(jìn)行成品的BGA(球柵陣列封裝)植球,切割——將整塊基板切割為多個(gè)SiP成品。通過(guò)測(cè)試后的芯片成品,將被集成在各類智能產(chǎn)品內(nèi),較終應(yīng)用在智能生活的各個(gè)領(lǐng)域。北京MEMS封裝服務(wù)商SiP系統(tǒng)級(jí)封裝作為一種集成封裝技術(shù),在滿足多種先進(jìn)應(yīng)用需求方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
Sip這種創(chuàng)新性的系統(tǒng)級(jí)封裝不只大幅降低了PCB的使用面積,同時(shí)減少了對(duì)外圍器件的依賴。更為重要的是,SiP系統(tǒng)級(jí)封裝為設(shè)備提供了更高的性能和更低的能耗,使得電子產(chǎn)品在緊湊設(shè)計(jì)的同時(shí)仍能實(shí)現(xiàn)突出的功能表現(xiàn)。據(jù)Yole報(bào)告,2022年,SiP系統(tǒng)級(jí)封裝市場(chǎng)總收入達(dá)到212億美元。受5G、人工智能、高性能計(jì)算、自動(dòng)駕駛和物聯(lián)網(wǎng)等細(xì)分市場(chǎng)的異構(gòu)集成、芯粒、封裝尺寸和成本優(yōu)化等趨勢(shì)的推動(dòng),預(yù)計(jì)到2028年,SiP系統(tǒng)級(jí)封裝市場(chǎng)總收入將達(dá)到338億美元,年復(fù)合增長(zhǎng)率為8.1%。
SIP類型,從目前業(yè)界SIP的設(shè)計(jì)類型和結(jié)構(gòu)區(qū)分,SIP可分為以下幾類。2D SIP,2D封裝是指在基板的表面水平安裝所有芯片和無(wú)源器件的集成方式。以基板(Substrate)上表面的左下角為原點(diǎn),基板上表面所處的平面為XY平面,基板法線為Z軸,創(chuàng)建坐標(biāo)系。2D封裝方面包含F(xiàn)OWLP、FOPLP和其他技術(shù)。物理結(jié)構(gòu):所有芯片和無(wú)源器件均安裝在基板平面,芯片和無(wú)源器件與XY平面直接接觸,基板上的布線和過(guò)孔位于XY平面下方。電氣連接:均需要通過(guò)基板(除了極少數(shù)通過(guò)鍵合線直接連接的鍵合點(diǎn))。SiP整體制程囊括了著晶、打線、主/被動(dòng)組件SMT及塑封技術(shù)。
SIP工藝解析,引線鍵合封裝工藝工序介紹:圓片減薄,為保持一定的可操持性,F(xiàn)oundry出來(lái)的圓厚度一般在700um左右。封測(cè)廠必須將其研磨減薄,才適用于切割、組裝,一般需要研磨到200um左右,一些疊die結(jié)構(gòu)的memory封裝則需研磨到50um以下。圓片切割,圓片減薄后,可以進(jìn)行劃片,劃片前需要將晶元粘貼在藍(lán)膜上,通過(guò)sawwing工序,將wafer切成一個(gè) 一個(gè) 單獨(dú)的Dice。目前主要有兩種方式:刀片切割和激光切割。芯片粘結(jié),貼裝的方式可以是用軟焊料(指Pb-Sn合金,尤其是含Sn的合金)、Au—Si低共熔合金等焊接到基板上,在塑料封裝中較常用的方法是使用聚合物粘結(jié)劑粘貼到金屬框架上。SiP系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)將處理芯片、存儲(chǔ)芯片、被動(dòng)元件、連接器、天線等多功能器件整合在同一基板上。天津WLCSP封裝
SiP封裝基板半導(dǎo)體芯片封裝基板是封裝測(cè)試環(huán)境的關(guān)鍵載體。貴州SIP封裝方案
SiP整體制程囊括了著晶、打線、主/被動(dòng)組件SMT及塑封技術(shù),封裝成型可依據(jù)客戶設(shè)計(jì)制作不同形狀模塊,甚至是3D立體結(jié)構(gòu),藉此可將整體尺寸縮小,預(yù)留更大空間放置電池,提供更大電力儲(chǔ)存,延長(zhǎng)產(chǎn)品使用時(shí)間,但功能更多、速度更快,因此特別適用于射頻相關(guān)應(yīng)用如5G毫米波模塊、穿戴式裝置及汽車電子等領(lǐng)域。微小化制程三大關(guān)鍵技術(shù),在設(shè)計(jì)中元器件的數(shù)量多寡及排布間距,即是影響模塊尺寸的較主要關(guān)鍵。要能夠?qū)崿F(xiàn)微小化,較重要的莫過(guò)于三項(xiàng)制程技術(shù):塑封、屏蔽及高密度打件技術(shù)。貴州SIP封裝方案