南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多擁有先進(jìn)太赫茲測(cè)試能力的單位之一。公司能夠進(jìn)行高效準(zhǔn)確的測(cè)試工作，可以測(cè)試至400GHz的各類(lèi)元器件、MMIC電路及模塊的散射參數(shù)測(cè)試和器件建模。此外，公司還能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)500GHz的電路功率測(cè)試和噪聲測(cè)試。這些能力展示了公司在太赫茲測(cè)試領(lǐng)域較強(qiáng)的實(shí)力。通過(guò)持續(xù)的創(chuàng)新和研發(fā)，公司不斷拓展技術(shù)邊界，為客戶(hù)提供更加專(zhuān)業(yè)、高質(zhì)量的服務(wù)。作為高頻器件產(chǎn)業(yè)企業(yè)，公司為整個(gè)行業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)著自己的力量。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司將繼續(xù)致力于太赫茲測(cè)試技術(shù)的創(chuàng)新和應(yīng)用，為推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)可提供全流程芯片制造工藝技術(shù)服務(wù)。太赫茲芯片測(cè)試

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)是一家專(zhuān)業(yè)提供先進(jìn)芯片工藝技術(shù)服務(wù)、微組裝及測(cè)試技術(shù)服務(wù)的機(jī)構(gòu)。該平臺(tái)匯聚了一支經(jīng)驗(yàn)豐富、技術(shù)精湛的團(tuán)隊(duì)，致力于為客戶(hù)提供技術(shù)支持和解決方案。在芯片工藝技術(shù)服務(wù)方面，平臺(tái)具備先進(jìn)的工藝設(shè)備，能夠提供高質(zhì)量的工藝服務(wù)，包括制程設(shè)計(jì)、工藝優(yōu)化、工藝流程開(kāi)發(fā)、單步或多步工藝代工等方面的支持，幫助客戶(hù)實(shí)現(xiàn)芯片制造的各項(xiàng)工藝。此外，平臺(tái)還擁有先進(jìn)的微組裝及測(cè)試設(shè)備，為客戶(hù)提供器件及電路的測(cè)試、模塊組裝等服務(wù)。這些服務(wù)包括微組裝技術(shù)、封裝工藝、器件測(cè)試等方面的技術(shù)支持，以保證客戶(hù)的產(chǎn)品性能。平臺(tái)以客戶(hù)需求為導(dǎo)向，注重與客戶(hù)的密切合作，為客戶(hù)提供一站式的技術(shù)服務(wù)和解決方案。秉承著技術(shù)創(chuàng)新和持續(xù)改進(jìn)的理念，南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)將不斷提升技術(shù)實(shí)力，豐富技術(shù)服務(wù)內(nèi)容。碳納米管電路工藝技術(shù)服務(wù)南京中電芯谷高頻器件研究院具備先進(jìn)的半導(dǎo)體器件及電路的加工流片能力，具備獨(dú)具創(chuàng)新的技術(shù)和研發(fā)能力。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供異質(zhì)集成工藝服務(wù)，如：1）晶圓鍵合：提供6英寸及以下超高真空鍵合、表面活化鍵合、聚合物鍵合、熱壓鍵合、共晶鍵合等多種類(lèi)晶圓及非標(biāo)準(zhǔn)片鍵合服務(wù)；2）襯底減薄：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料襯底減薄服務(wù)；3）表面平坦化：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料表面亞納米級(jí)精細(xì)拋光服務(wù)。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司的多種異質(zhì)集成技術(shù)服務(wù)包括：超高真空鍵合、襯底減薄和表面平坦化等，都是基于先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)備，以滿(mǎn)足客戶(hù)的不同需求。

    南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司具備先進(jìn)的CVD用固態(tài)微波功率源技術(shù)。CVD技術(shù)是一種關(guān)鍵的制備技術(shù)，它通過(guò)氣相反應(yīng)直接在襯底上生長(zhǎng)薄膜，是許多重要材料的制備技術(shù)之一。而固態(tài)微波功率源則是CVD設(shè)備重要組成部分。研究院的固態(tài)微波功率源，其技術(shù)先進(jìn)，性能優(yōu)良，可以廣泛應(yīng)用于化學(xué)/物理/電子束氣相沉積和磁控濺射等各領(lǐng)域。該技術(shù)的應(yīng)用前景十分廣闊。在催化反應(yīng)、材料制備等領(lǐng)域，CVD已是一種通行的制備技術(shù)。該技術(shù)的優(yōu)勢(shì)不僅在于制備的薄膜質(zhì)量高，而且操作簡(jiǎn)單，可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模制備，制備出的薄膜可廣泛應(yīng)用于熱電轉(zhuǎn)換器、光學(xué)設(shè)備、導(dǎo)電薄膜和光伏電池等領(lǐng)域。研究院在CVD用固態(tài)微波功率源技術(shù)上的研究和應(yīng)用，將極大地推動(dòng)該技術(shù)的發(fā)展并擴(kuò)大其應(yīng)用范圍。研究院的技術(shù)實(shí)力，豐富的經(jīng)驗(yàn)以及創(chuàng)新精神，將為該行業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。 南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司作為一家新型研發(fā)機(jī)構(gòu)，熱情歡迎上下游企業(yè)入駐園區(qū)。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供Si基GaN微波毫米波器件與芯片技術(shù)開(kāi)發(fā)服務(wù)，該芯片相對(duì)于Si LDMOS，具有工作頻率高、功率大、體積小等優(yōu)勢(shì)；相對(duì)于傳統(tǒng)SiC基GaN芯片，具備低成本、高密度集成、大尺寸等優(yōu)勢(shì)；適應(yīng)于C、Ka、W等主流波段的攻放、開(kāi)關(guān)、低噪放等芯片；南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司可提供定制化的Si基GaN射頻器件和電路芯片研制與代工服務(wù)；該芯片可用于5G通信基站、高效能源、汽車(chē)?yán)走_(dá)、手機(jī)終端、人工智能等領(lǐng)域。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)可以提供微組裝服務(wù)。SBD器件設(shè)計(jì)

芯谷高頻研究院的高功率密度熱源產(chǎn)品適用于微系統(tǒng)或微電子領(lǐng)域的熱管、微流以及新型材料的散熱技術(shù)開(kāi)發(fā)。太赫茲芯片測(cè)試

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供光電芯片技術(shù)開(kāi)發(fā)及工藝流片服務(wù)，以滿(mǎn)足客戶(hù)的需求。公司集聚了一批行業(yè)專(zhuān)業(yè)人才，具備豐富的經(jīng)驗(yàn)和技能。公司通過(guò)不斷深耕技術(shù)領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)重要成果的轉(zhuǎn)化和應(yīng)用。同時(shí)，公司還積極與國(guó)內(nèi)外科研機(jī)構(gòu)和高校合作，加強(qiáng)技術(shù)交流與合作，不斷提升自身的科研水平和創(chuàng)新能力。公司堅(jiān)持以客戶(hù)需求為導(dǎo)向，努力為客戶(hù)提供高效、高質(zhì)量的光電芯片解決方案。同時(shí)，公司在光電芯片工藝及測(cè)試方面也不斷創(chuàng)新和優(yōu)化，提高質(zhì)量和效率。憑借公司的創(chuàng)新能力和技術(shù)實(shí)力，南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司將在光電芯片領(lǐng)域展現(xiàn)出更加出色的表現(xiàn)，為推動(dòng)我國(guó)光電產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出積極貢獻(xiàn)。太赫茲芯片測(cè)試