南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司熱情歡迎上下游企業(yè)入駐園區(qū)。中電芯谷科技產(chǎn)業(yè)園位于南京秦淮區(qū)，是一個(gè)擁有完善基礎(chǔ)設(shè)施的現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)園區(qū)。中電芯谷科技產(chǎn)業(yè)園以高科技產(chǎn)業(yè)為主，聚集了多家企業(yè)。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司作為中電芯谷科技產(chǎn)業(yè)園的重要組成部分，自成立以來致力于高頻器件的研發(fā)。公司擁有多項(xiàng)重要技術(shù)和成果。同時(shí)，公司也非常重視與上下游企業(yè)的合作與交流，在產(chǎn)品設(shè)計(jì)、市場(chǎng)營(yíng)銷等方面積極尋求合作伙伴，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈的不斷完善與創(chuàng)新，對(duì)于提升整個(gè)產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力和市場(chǎng)份額具有積極的意義。中電芯谷科技產(chǎn)業(yè)園還提供完備的服務(wù)支持，包括研發(fā)創(chuàng)新、財(cái)務(wù)稅務(wù)、人力資源、營(yíng)銷推廣等方面的專業(yè)指導(dǎo)和支持，幫助入駐企業(yè)在競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)中立足并獲得成功。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司誠(chéng)邀各位上下游企業(yè)加入中電芯谷科技產(chǎn)業(yè)園，共同謀求發(fā)展和進(jìn)步，為行業(yè)帶來更多的創(chuàng)新和機(jī)遇。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司可提供大功率氮化鎵微波毫米波/太赫茲二極管開發(fā)服務(wù)。天津熱源器件及電路芯片工藝定制開發(fā)

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)在背面工藝方面，擁有鍵合機(jī)、拋光臺(tái)、磨片機(jī)等，可以進(jìn)行晶片的減薄、拋光以及劃片工藝。公司公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)支持晶圓鍵合工藝，可以支持6英寸及以下晶圓的鍵合，并具備介質(zhì)、熱壓、共晶、膠粘等鍵合能力，鍵合精度達(dá)到2um。鍵合工藝可以將不同的晶圓材料組合在一起，從而制造出具有更高性能的芯片。憑借研究院的技術(shù)實(shí)力和專業(yè)的服務(wù)團(tuán)隊(duì)，公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)將為客戶提供更加優(yōu)良的技術(shù)服務(wù)，不斷創(chuàng)新晶圓鍵合工藝，助力高科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。山西微波毫米波芯片工藝定制開發(fā)南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)服務(wù)。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供異質(zhì)集成工藝服務(wù)，如：1）晶圓鍵合：提供6英寸及以下超高真空鍵合、表面活化鍵合、聚合物鍵合、熱壓鍵合、共晶鍵合等多種類晶圓及非標(biāo)準(zhǔn)片鍵合服務(wù)；2）襯底減薄：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料襯底減薄服務(wù)；3）表面平坦化：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料表面亞納米級(jí)精細(xì)拋光服務(wù)。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司的多種異質(zhì)集成技術(shù)服務(wù)包括：超高真空鍵合、襯底減薄和表面平坦化等，都是基于先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)備，以滿足客戶的不同需求。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)服務(wù)，可進(jìn)行以下先進(jìn)集成材料制備和研發(fā)：1)單晶AlN、LiNbO3壓電薄膜異質(zhì)晶圓，用于SAW、BAW、XBAR等高性能射頻濾波器；2)厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3異質(zhì)晶圓，用于低損耗光學(xué)平臺(tái)；3)AlGaAs-on-insulator，絕緣體上AlGaAs晶圓，用于光量子器件等新一代片上光源平臺(tái)；4)Miro-Cavity-SOI，內(nèi)嵌微腔的絕緣體上Si晶圓，用于環(huán)柵GAA，MEMS等器件平臺(tái)；5)SionSiC/Diamond，解決傳統(tǒng)Si襯底功率器件散熱低的瓶頸；6)GaNonSiC，解決自支撐GaN襯底高性能器件散熱低的瓶頸；7)支持特定襯底功能薄膜材料異質(zhì)晶圓定制研發(fā)。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院的CVD用固態(tài)微波功率源產(chǎn)品具有集成度高，尺寸小、壽命高等特性。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院的高功率密度熱源產(chǎn)品由熱源管芯和熱源集成外殼組成，并采用了先進(jìn)的厚金技術(shù)。熱源管芯的背面可以與任意熱沉進(jìn)行金錫等焊料集成，也滿足與外殼集成后，在任意熱沉進(jìn)行機(jī)械集成。這種靈活的設(shè)計(jì)使得熱源可以根據(jù)客戶的要求進(jìn)行定制，尺寸可以進(jìn)行調(diào)整。這款高功率密度熱源產(chǎn)品適用于微系統(tǒng)或微電子領(lǐng)域的熱管、微流以及新型材料的散熱技術(shù)開發(fā)。同時(shí)，它還可以對(duì)熱管理技術(shù)進(jìn)行定量的表征和評(píng)估。公司可以根據(jù)客戶的需求，設(shè)計(jì)和開發(fā)各種熱源微結(jié)構(gòu)及其功率密度。這款產(chǎn)品不僅具有高功率密度，還具有良好的可定制性和適應(yīng)性。芯谷高頻研究院的太赫茲放大器系列產(chǎn)品，是一項(xiàng)可提供太赫茲芯片解決方案的創(chuàng)新科技成果。內(nèi)蒙古SBD芯片測(cè)試

芯谷高頻研究院的熱物性測(cè)試儀可有效解決無(wú)法實(shí)現(xiàn)大尺寸、微米級(jí)厚度、及其超高熱導(dǎo)率等材料的熱評(píng)估難題。天津熱源器件及電路芯片工藝定制開發(fā)

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供光電器件及電路技術(shù)開發(fā)。研究院擁有先進(jìn)的光電器件及電路制備工藝，能夠?yàn)榭蛻籼峁┒ㄖ苹募夹g(shù)開發(fā)方案和工藝加工服務(wù)。公司致力于研發(fā)光電集成芯片，以應(yīng)對(duì)新體制微波光子雷達(dá)和光通信等領(lǐng)域的發(fā)展需求。在此領(lǐng)域，光芯片、器件與模塊將為通信網(wǎng)絡(luò)和物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用提供強(qiáng)有力的支撐。無(wú)論是在技術(shù)研發(fā)上，還是在工藝制備上，研究院都秉持著高標(biāo)準(zhǔn)和嚴(yán)謹(jǐn)精神。通過不斷創(chuàng)新和努力奮斗，研究院將不斷提升產(chǎn)品質(zhì)量和技術(shù)水平，以滿足客戶的需求。天津熱源器件及電路芯片工藝定制開發(fā)

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司是一家有著雄厚實(shí)力背景、信譽(yù)可靠、勵(lì)精圖治、展望未來、有夢(mèng)想有目標(biāo)，有組織有體系的公司，堅(jiān)持于帶領(lǐng)員工在未來的道路上大放光明，攜手共畫藍(lán)圖，在江蘇省等地區(qū)的通信產(chǎn)品行業(yè)中積累了大批忠誠(chéng)的客戶粉絲源，也收獲了良好的用戶口碑，為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ)，也希望未來公司能成為*****，努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量，我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息，斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將**南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌，共創(chuàng)佳績(jī)，一直以來，公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理、創(chuàng)新發(fā)展、誠(chéng)實(shí)守信的方針，員工精誠(chéng)努力，協(xié)同奮取，以品質(zhì)、服務(wù)來贏得市場(chǎng)，我們一直在路上！