其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)可控硅加上正向陽極電壓的同時又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r,可控硅就導(dǎo)通;這一導(dǎo)通即使在撤去門極控制電壓后仍將維持,一直到加上反向陽極電壓或陽極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的。在正弦波交流電過零后的某一時刻t1(或某一相位角wt1),在可控硅控制極上加一觸發(fā)脈沖,使可控硅導(dǎo)通,根據(jù)前面介紹過的可控硅開關(guān)特性,這一導(dǎo)通將維持到正弦波正半周結(jié)束。因此在正弦波的正半周(即0~p區(qū)間)中,0~wt1范圍可控硅不導(dǎo)通,這一范圍稱為控制角,常用a表示;而在wt1~p間可控硅導(dǎo)通,這一范圍稱為導(dǎo)通角,常用j表示。同理在正弦波交流電的負(fù)半周,對處于反向聯(lián)接的另一個可控硅(對兩個單向可控硅反并聯(lián)或雙向可控硅而言)在t2時刻(即相位角wt2)施加觸發(fā)脈沖,使其導(dǎo)通。如此周而復(fù)始,對正弦波每半個周期控制其導(dǎo)通,獲得相同的導(dǎo)通角。如改變觸發(fā)脈沖的施加時間(或相位),即改變了導(dǎo)通角j(或控制角a)的大小。導(dǎo)通角越大調(diào)光器輸出的電壓越高,燈就越亮。從上述可控硅調(diào)光原理可知,調(diào)光器輸出的電壓波形已經(jīng)不再是正弦波了,除非調(diào)光器處在全導(dǎo)通狀態(tài)。公司實力雄厚,產(chǎn)品質(zhì)量可靠。江蘇單相晶閘管移相調(diào)壓模塊報價
可控硅模塊觸發(fā)電路時需要滿足的必定要求可控硅模塊的作用主要體驗在電路中,在電路中經(jīng)常會見到可控硅模塊的身影,由此可見它的應(yīng)用是多么的強大,可控硅模塊的其中一個作用就是觸發(fā)電路,但是觸發(fā)電路時需要滿足三個必定條件,下面正高電氣帶您來看看這三個條件是什么?一、可控硅模塊觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖信號應(yīng)有足夠的功率和寬度為了使全部的元件在各種可能的工作條件下均能可靠的觸發(fā),可控硅模塊觸發(fā)電路所送出的觸發(fā)電壓和電流,必須大于元件門極規(guī)定的觸發(fā)電壓UGT與觸發(fā)電流IGT的較大值,并且留有足夠的余量。另外,由于可控硅的觸發(fā)是有一個過程的,也就是可控硅觸發(fā)電路的導(dǎo)通需要一定的時間,不是一觸即通,只有當(dāng)可控硅的陽極電流即主回路電流上升到可控硅的擎住電流IL以上時,管子才能導(dǎo)通,所以觸發(fā)脈沖信號應(yīng)有一定的寬度才能保證被觸發(fā)的可控硅可靠導(dǎo)通。例如:一般可控硅的導(dǎo)通時間在6μs左右,故觸發(fā)脈沖的寬度至少在6μs以上,一般取20~50μs,對于大電感負(fù)載,由于電流上升較慢,觸發(fā)脈沖寬度還應(yīng)加大,否則脈沖終止時主回路電流還未上升到可控硅的擎任電流以上,則可控硅又重新關(guān)斷,所以脈沖寬度下應(yīng)小于300μs,通常取1ms。泰安三相晶閘管移相調(diào)壓模塊組件我公司生產(chǎn)的產(chǎn)品、設(shè)備用途非常多。
可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式,擁有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,這種可控硅模塊的體積非常的小,結(jié)構(gòu)也十分的緊湊,對于維修與安裝都有很大的作用,可控硅模塊的類型非常的多,比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等,很多人不是很清楚兩者之間的差異??刂茦O與陰極之間是一個P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過,因此,有時測得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不好。另外,在測量控制極正反向電阻時,萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞??煽毓枋强煽毓枵髟暮喎Q,是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無觸點開關(guān)以快速接通或切斷電路,實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,等等。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。
在負(fù)半周期間,C向R3和R2放電并觸發(fā)雙向可控硅,這樣使雙向可控硅繼續(xù)導(dǎo)通,保證負(fù)載正常工作。一旦電網(wǎng)突然停電,C上的電荷經(jīng)R3和R2放電。在電網(wǎng)恢復(fù)供電后,由于K1常開,C上又無電壓,不能使雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通,電路呈斷開自鎖狀態(tài),因此沒有電流流過負(fù)載。只有重按一下K1,負(fù)載才能正常工作,從而有效地防止了因斷電后恢復(fù)供電造成的浪費和。常閉按鈕K2用于正常供電情況下關(guān)斷電路。10:雙色彩燈本彩燈是以多諧振蕩器為控制信號,燈光交替閃耀,可給節(jié)日晚上(尤其是舞會)增加不少光彩和歡快氣氛。工作原理如下圖所示。交流220V電源經(jīng)C1、VD1、VD2及VD3降壓、整流、濾波后,在VD3兩端得到3V的穩(wěn)定電壓。多諧振蕩器中的VT1、VT2輪流導(dǎo)通,其集電極電流控制雙向晶閘管VS1和VS2工作,彩燈將交替閃爍著光彩。元器件選擇:電容C1為μ/400V(滌綸電容)、C2為220μ/6V,C3、C4為50μ/16V。電阻R1為1M/1W,R2、R3為20K/1/4W。二極管VD1、VD2選1N4004。穩(wěn)壓二極管VD3選3V/1W。發(fā)光二極管VD4、VD5為FG114001。雙向晶閘管VS1、VS2為TLC3A/400V。三極管VT1、VT2為3CK9D,60≤β≤120。使用方法:(1)如彩燈不亮,將3V穩(wěn)壓管換成。(2)為防止流過發(fā)光二極管VD4、VD5的電流過大。淄博正高電氣過硬的產(chǎn)品質(zhì)量、優(yōu)良的售后服務(wù)、認(rèn)真嚴(yán)格的企業(yè)管理,贏得客戶的信譽。
TC=℃)------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓IRRM=mA------------反向重復(fù)峰值電流IGT=mA------------門極觸發(fā)電流VGT=V------------門極觸發(fā)電壓執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QB-02-09,1.晶閘管關(guān)斷過電壓(換流過電壓、空穴積蓄效應(yīng)過電壓)及保護晶閘管從導(dǎo)通到阻斷,線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量產(chǎn)生過電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿元件內(nèi)部,在關(guān)斷過程中,管子在反向作用下,正向電流下降到零時,元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流,使殘存的載流子迅速消失,這時反向電流減小即diG/dt極大,產(chǎn)生的感應(yīng)電勢很大,這個電勢與電源串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過電壓(換相過電壓)。數(shù)值可達(dá)工作電壓的5~6倍。保護措施:在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2.交流側(cè)過電壓及其保護由于交流側(cè)電路在接通或斷開時出現(xiàn)暫態(tài)過程,會產(chǎn)生操作過電壓。高壓合閘的瞬間,由于初次級之間存在分布電容,初級高壓經(jīng)電容耦合到次級,出現(xiàn)瞬時過電壓。淄博正高電氣展望未來,信心百倍,追求高遠(yuǎn)。德州進口晶閘管移相調(diào)壓模塊配件
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可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件,有三個電極,陽極a,陰極K和控制機G所構(gòu)成的??煽毓枘K的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說明介紹:可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調(diào)整和變換的場合,如工業(yè)、通訊、部對所用等各類電氣控制、電源等,根據(jù)還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接,實現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功能,并可實現(xiàn)過流、過壓、過溫、缺相等保護功能??煽毓枘K的控制方式:通過輸入可控硅模塊控制接口一個可調(diào)的電壓或者電流信號,通過調(diào)整該信號的大小即可對可控硅模塊的輸出電壓大小進行平滑調(diào)節(jié),實現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點或全部導(dǎo)通的過程。電壓或電流信號可取自各種控制儀表、計算機D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種方法;控制信號采用0~5V,0~10V,4~20mA三種比較常用的控制形式。43、滿足可控硅模塊工作的必要條件:(1)+12V直流電源:可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。①可控硅模塊輸出電壓要求:+12V電源:12,紋波電壓小于20mv。②可控硅模塊輸出電流要求:標(biāo)稱電流小于500安培產(chǎn)品:I+12V>。江蘇單相晶閘管移相調(diào)壓模塊報價
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