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中山XBM3214DCA賽芯集成MOS 兩節(jié)鋰保

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-03-24

    多節(jié)鋰電保護(hù)產(chǎn)品二級(jí)保護(hù)二級(jí)保護(hù)是指使用PTC、MHP、等被動(dòng)組件來保護(hù)電池。鋰電池保護(hù)板分為一級(jí)保護(hù)和二級(jí)保護(hù)。一級(jí)保護(hù)通常指的是主動(dòng)組件保護(hù),包括保護(hù)IC和MOSFET,它能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)電池的電壓和充放電電流,并在必要時(shí)MOSFET的導(dǎo)通或關(guān)斷,以防止電池過充、過放、過載及短路。而二級(jí)保護(hù)則是指使用PTC、MHP、絲等被動(dòng)組件來進(jìn)一步增強(qiáng)電池的安全性。這些組件通常是溫度敏感的,能夠在電池溫度異常升高時(shí)呈現(xiàn)高阻狀態(tài),阻止電流流動(dòng),從而避免可能的危險(xiǎn)情況當(dāng)電池溫度異常升高時(shí),PTC或MHP會(huì)呈現(xiàn)高阻狀態(tài),阻礙電池的充放電,從而防止鋰電池的起火。這種保護(hù)方式被稱為二級(jí)保護(hù),它是一種被動(dòng)組件保護(hù),通常作為一級(jí)保護(hù)電路(IC/Mosfet)的補(bǔ)充。 移動(dòng)電源soc芯片 DS5136B 22.5W-27W 單串移動(dòng)電源.中山XBM3214DCA賽芯集成MOS 兩節(jié)鋰保

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鋰電保護(hù)應(yīng)用原理圖①按鋰電池保護(hù)芯片的典型原理圖設(shè)計(jì),鋰電保護(hù)的GND接電池的B-,不能接外部大地,芯片的VM接外部大地。②帶EPAD的芯片,一般EPAD接芯片的GND(B-),請(qǐng)嚴(yán)格按照規(guī)格書中的典型原理圖來做。③鋰電池保護(hù)芯片帶VT腳的,VT腳通常可接芯片GND(B-),或者懸空。④典型應(yīng)用圖中的100Ω/1KΩ電阻與,濾除電池電壓的劇烈波動(dòng)和外部強(qiáng)烈電壓干擾,使得VDD電壓盡量穩(wěn)定,該電阻和電容缺一不可,缺少任何一個(gè)都會(huì)有少燒芯片的可能,增加生產(chǎn)的不良率(XB5432不加電容)。不同IC的電阻取值有差異,請(qǐng)根據(jù)***版的Datesheet的典型應(yīng)用圖或FAE的建議選擇電阻的取值。⑤馬達(dá)應(yīng)用、LED照明應(yīng)用、射頻干擾應(yīng)用、負(fù)載電流劇烈變化的應(yīng)用如音頻功放等,可能需要增大RC濾波的網(wǎng)絡(luò)的R和C的值,如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等,比較大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之間靠近管腳加一個(gè),可以增強(qiáng)鋰電保護(hù)電路的系統(tǒng)級(jí)ESD,增強(qiáng)對(duì)尖峰電壓等外部信號(hào)的抗干擾能力。⑦鋰電保護(hù)芯片可并聯(lián)使用,減小內(nèi)阻,增強(qiáng)持續(xù)電流,多芯片并聯(lián)使用時(shí),芯片VDD的RC網(wǎng)絡(luò),電阻可共用,但電容須要一個(gè)保護(hù)芯片配一個(gè)電容。江門XBM3204JFG賽芯集成MOS 兩節(jié)鋰保多節(jié)鋰電保護(hù)芯片(三元/磷酸鐵鋰)XBM5244 均衡,推挽,充電過流檢測(cè).3-4串XBM4X30 開漏,次級(jí)保護(hù)。

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XBM2138QFA  移動(dòng)電源應(yīng)用 兩串鋰電池保護(hù)芯片介紹35W以內(nèi)XBM2138QFA2串鋰保集成MOS內(nèi)置均衡:對(duì)兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù),同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能,這些功能對(duì)于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié):保護(hù)芯片功能基本保護(hù)功能:對(duì)兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù),同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能,這些功能對(duì)于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié),可組成一個(gè)充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路,鋰電池就可以實(shí)現(xiàn)邊充邊放的功能

XBM4X30系列產(chǎn)品、3或4串電池組的二級(jí)保護(hù)芯片主要描述內(nèi)置高精度的電壓檢測(cè)電路和延遲電路,是一款用于可充電電池組的二級(jí)保護(hù)芯片,通過檢測(cè)電池包中每一節(jié)電芯的電壓,為電池包提供過充電保護(hù)和過放保護(hù)1。功能特點(diǎn)高精度電池電壓檢測(cè)功能:過充電檢測(cè)電壓-(步進(jìn)50mV),精度±25mV;過充電電壓0-(步進(jìn)50mV),精度±50mV;過放電檢測(cè)電壓-(步進(jìn)100mV),精度±80mV;過放電電壓0V-(步進(jìn)100mV),精度±100mV1。保護(hù)延時(shí)內(nèi)置可選:可根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的保護(hù)延時(shí)1。內(nèi)置斷線保護(hù)功能(可選):增加了電池使用的安全性1。輸出方式可選:有CMOS輸出、N溝道開路漏級(jí)輸出、P溝道開路漏級(jí)輸出三種方式1。輸出邏輯可選:動(dòng)態(tài)輸出H、動(dòng)態(tài)輸出。移動(dòng)電源soc芯片DS5136B+MPP無線充 (QI2.0)22.5W 單串移動(dòng)電源+無線充.

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    在當(dāng)今快節(jié)奏的生活中,移動(dòng)電源成為了我們不可或缺的電子設(shè)備。芯納推出的移動(dòng)電源SOC更是為我們帶來了全新的體驗(yàn)。移動(dòng)電源SOC(SystemonChip,系統(tǒng)級(jí)芯片)是一種高度集成的芯片,用于移動(dòng)電源中。它集成了多種功能模塊,包括同步開關(guān)升降壓變換器、電池充放電管理模塊、電量計(jì)算模塊、顯示模塊、協(xié)議模塊等。高集成度:將多個(gè)功能模塊集成在一個(gè)芯片上,減少了外部元器件的使用,簡(jiǎn)化了移動(dòng)電源的設(shè)計(jì)。多協(xié)議雙向快充:支持多種充電協(xié)議,能夠?qū)崿F(xiàn)充電和雙向充電功能,提高充電效率。電池管理:負(fù)責(zé)電池的充放電管理,包括過充、過放保護(hù),延長(zhǎng)電池壽命。電量計(jì)算和顯示:準(zhǔn)確計(jì)算電池電量,并通過顯示模塊向用戶展示電量信息。保護(hù)功能:提供輸入/輸出的過壓/欠壓保護(hù)、NTC過溫保護(hù)、放電過流保護(hù)、輸出短路保護(hù)等,確保移動(dòng)電源和連接設(shè)備的安全。芯納科技專注代理電源芯片和電子元器件12年。提供的產(chǎn)品和方案包括:移動(dòng)電源SOC、多口快充SOC、快充充電管理SOC、電源管理芯片、鋰電池充電管理、鋰電保護(hù)、DC轉(zhuǎn)換器、MOS等。致力于為合作伙伴帶來增值,為客戶的成長(zhǎng)與發(fā)展竭誠服務(wù),當(dāng)好供求間之橋梁,謀求產(chǎn)業(yè)鏈的共同發(fā)展! 3~4串集成均衡/NTC/Sense XBM5244.廣州XBM3215JFG賽芯代理

2串 內(nèi)置均衡MOS,帶船運(yùn)/SenseXBM325X.中山XBM3214DCA賽芯集成MOS 兩節(jié)鋰保

XBM2138內(nèi)置MOS內(nèi)置均衡器高精度電壓檢測(cè)電路和延時(shí)電路,用于2節(jié)串聯(lián)鋰離子/鋰聚合物可再充電電池的保護(hù)。適合對(duì)2節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)。各延遲時(shí)間由內(nèi)部電路設(shè)置(不需外接電容),連接充電器的端子采用高耐壓設(shè)計(jì)(CS端子和OC端子,***額定值是33V),還具備向0V電池充電功能,可選擇允許或禁止。內(nèi)置MOS在高負(fù)載時(shí)可能發(fā)熱,需優(yōu)化PCB散熱(如增加銅箔面積) 內(nèi)置MOS,集成均衡功能中山XBM3214DCA賽芯集成MOS 兩節(jié)鋰保

標(biāo)簽: 電源管理IC 賽芯