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什么是系統(tǒng)級封裝SIP？1、SIP介紹，SIP（System In Package，系統(tǒng)級封裝）為一種封裝的概念，它是將多個半導(dǎo)體及一些必要的輔助零件，做成一個相對單獨的產(chǎn)品，可以實現(xiàn)某種系統(tǒng)級功能，并封裝在一個殼體內(nèi)。較終以一個零件的形式出現(xiàn)在更高階的系統(tǒng)級PCBA(Printed Circuit Board Assembly)。2.SIP與SOC，SOC(System On a Chip，系統(tǒng)級芯片)是將原本不同功能的IC，整合到一顆芯片中，比如在一個芯片中集成數(shù)字電路、模擬電路、存儲器和接口電路等，以實現(xiàn)圖像處理、語言處理、通訊功能和數(shù)據(jù)處理等多種功能。固晶貼片機（Die bonder）...

SiP還具有以下更多優(yōu)勢：降低成本 – 通常伴隨著小型化，降低成本是一個受歡迎的副作用，盡管在某些情況下SiP是有限的。當(dāng)對大批量組件應(yīng)用規(guī)模經(jīng)濟(jì)時，成本節(jié)約開始顯現(xiàn)，但只限于此。其他可能影響成本的因素包括裝配成本、PCB設(shè)計成本和離散 BOM（物料清單）開銷，這些因素都會受到很大影響，具體取決于系統(tǒng)。良率和可制造性 – 作為一個不斷發(fā)展的概念，如果有效地利用SiP專業(yè)知識，從模塑料選擇，基板選擇和熱機械建模，可制造性和產(chǎn)量可以較大程度上提高。封裝基板的分類有很多種，目前業(yè)界比較認(rèn)可的是從增強材料和結(jié)構(gòu)兩方面進(jìn)行分類。吉林SIP封裝供應(yīng)SiP可以說是先進(jìn)的封裝技術(shù)、表面安裝技術(shù)、機械裝配技術(shù)的...

SiP技術(shù)特點：制造工藝，SiP的制造涉及多種工藝，包括：基板技術(shù)：提供電氣連接和物理支持的基板，可以是有機材料（如PCB）或無機材料（如硅、陶瓷）。芯片堆疊：通過垂直堆疊芯片來節(jié)省空間，可能使用通過硅孔（TSV）技術(shù)來實現(xiàn)內(nèi)部連接。焊接和鍵合：使用焊球、金線鍵合或銅線鍵合等技術(shù)來實現(xiàn)芯片之間的電氣連接。封裝：較終的SiP模塊可能采用BGA（球柵陣列）、CSP（芯片尺寸封裝）或其他封裝形式。SiP 封裝制程按照芯片與基板的連接方式可分為引線鍵合封裝和倒裝焊兩種。SiP系統(tǒng)級封裝以其更小、薄、輕和更多功能的競爭力，為芯片和器件整合提供了新的可能性。湖北模組封裝精選廠家SIP工藝解析：裝配焊料球，...

晶圓級封裝（WLP）：1、定義，在晶圓原有狀態(tài)下重新布線，然后用樹脂密封，再植入錫球引腳，然后劃片將其切割成芯片，從而制造出真實芯片大小的封裝。注：重新布線是指在后段制程中，在芯片表面形成新的布線層。2、優(yōu)勢，傳統(tǒng)封裝中，將芯片裝進(jìn)封裝中的時候，封裝的尺寸都要大于芯片尺寸。WLP技術(shù)的優(yōu)勢是能夠?qū)崿F(xiàn)幾乎與芯片尺寸一樣大小的封裝。不只芯片是批量化制造，而且封裝也是批量化制造，可以較大程度上降低成本。WLP技術(shù)使用倒裝焊技術(shù)（FCB），所以被稱為FBGA（Flip Chip類型的BGA），芯片被稱為晶圓級CSP（Chip Size Package）。工藝流程，晶圓級封裝工藝流程：① 再布線工程（形...

SiP還具有以下更多優(yōu)勢：降低成本 – 通常伴隨著小型化，降低成本是一個受歡迎的副作用，盡管在某些情況下SiP是有限的。當(dāng)對大批量組件應(yīng)用規(guī)模經(jīng)濟(jì)時，成本節(jié)約開始顯現(xiàn)，但只限于此。其他可能影響成本的因素包括裝配成本、PCB設(shè)計成本和離散 BOM（物料清單）開銷，這些因素都會受到很大影響，具體取決于系統(tǒng)。良率和可制造性 – 作為一個不斷發(fā)展的概念，如果有效地利用SiP專業(yè)知識，從模塑料選擇，基板選擇和熱機械建模，可制造性和產(chǎn)量可以較大程度上提高。SiP (System in Package, 系統(tǒng)級封裝）主要應(yīng)用于消費電子、無線通信、汽車電子等領(lǐng)域。遼寧MEMS封裝價位失效分析三步驟 X射線檢測...

對于堆疊結(jié)構(gòu)，可以區(qū)分如下幾種：芯片堆疊、PoP、PiP、TSV。堆疊芯片，是一種兩個或更多芯片堆疊并粘合在一個封裝中的組裝技術(shù)。這較初是作為一種將兩個內(nèi)存芯片放在一個封裝中以使內(nèi)存密度翻倍的方法而開發(fā)的。 無論第二個芯片是在頭一個芯片的頂部還是在它旁邊，都經(jīng)常使用術(shù)語“堆疊芯片”。技術(shù)已經(jīng)進(jìn)步，可以堆疊許多芯片，但總數(shù)量受到封裝厚度的限制。芯片堆疊技術(shù)已被證明可以多達(dá) 24 個芯片堆疊。然而，大多數(shù)使用9 芯片高度的堆疊芯片封裝技術(shù)的來解決復(fù)雜的測試、良率和運輸挑戰(zhàn)。芯片堆疊也普遍應(yīng)用在傳統(tǒng)的基于引線框架的封裝中，包括QFP、MLF 和 SOP 封裝形式。如下圖2.21的堆疊芯片封裝形式。S...

SiP還具有以下更多優(yōu)勢：降低成本 – 通常伴隨著小型化，降低成本是一個受歡迎的副作用，盡管在某些情況下SiP是有限的。當(dāng)對大批量組件應(yīng)用規(guī)模經(jīng)濟(jì)時，成本節(jié)約開始顯現(xiàn)，但只限于此。其他可能影響成本的因素包括裝配成本、PCB設(shè)計成本和離散 BOM（物料清單）開銷，這些因素都會受到很大影響，具體取決于系統(tǒng)。良率和可制造性 – 作為一個不斷發(fā)展的概念，如果有效地利用SiP專業(yè)知識，從模塑料選擇，基板選擇和熱機械建模，可制造性和產(chǎn)量可以較大程度上提高。固晶貼片機（Die bonder），是封裝過程中的芯片貼裝（Die attach）的主要設(shè)備。北京COB封裝方式SiP是使用成熟的組裝和互連技術(shù)，把各種...

什么情況下采用SIP ?當(dāng)產(chǎn)品功能越來越多，同時電路板空間布局受限，無法再設(shè)計更多元件和電路時，設(shè)計者會將此PCB板功能連帶各種有源或無源元件集成在一種IC芯片上，以完成對整個產(chǎn)品的設(shè)計，即SIP應(yīng)用。SIP優(yōu)點：1、尺寸小，在相同的功能上，SIP模組將多種芯片集成在一起，相對單獨封裝的IC更能節(jié)省PCB的空間。2、時間快，SIP模組板身是一個系統(tǒng)或子系統(tǒng)，用在更大的系統(tǒng)中，調(diào)試階段能更快的完成預(yù)測及預(yù)審。7、簡化物流管理，SIP模組能夠減少倉庫備料的項目及數(shù)量，簡化生產(chǎn)的步驟。SiP涉及許多類型的封裝技術(shù)，如超精密表面貼裝技術(shù)（SMT）、封裝堆疊技術(shù)，封裝嵌入式技術(shù)等。福建SIP封裝供應(yīng)商合...

SiP系統(tǒng)級封裝需求主要包括以下幾個方面：1、精度：先進(jìn)封裝對于精度的要求非常高，因為封裝中的芯片和其他器件的尺寸越來越小，而封裝密度卻越來越大。因此，固晶設(shè)備需要具備高精度的定位和控制能力，以確保每個芯片都能準(zhǔn)確地放置在預(yù)定的位置上。2、速度：先進(jìn)封裝的生產(chǎn)效率對于封裝成本和產(chǎn)品競爭力有著重要影響。因此，固晶設(shè)備需要具備高速度的生產(chǎn)能力，以提高生產(chǎn)效率并降低成本。3、良品率：先進(jìn)封裝的制造過程中，任何一個環(huán)節(jié)的失誤都可能導(dǎo)致整個封裝的失敗。因此，固晶設(shè)備需要具備高良品率的生產(chǎn)能力，以確保封裝的質(zhì)量和可靠性。SiP并沒有一定的結(jié)構(gòu)形態(tài)，芯片的排列方式可為平面式2D裝和立體式3D封裝。四川半導(dǎo)體...

淺談系統(tǒng)級封裝(SiP)的優(yōu)勢及失效分析，半導(dǎo)體組件隨著各種消費性通訊產(chǎn)品的需求提升而必須擁有更多功能，組件之間也需要系統(tǒng)整合。因應(yīng)半導(dǎo)體制程技術(shù)發(fā)展瓶頸，系統(tǒng)單芯片（SoC）的開發(fā)效益開始降低，異質(zhì)整合困難度也提高，成本和所需時間居高不下。此時，系統(tǒng)級封裝（SiP）的市場機會開始隨之而生。 采用系統(tǒng)級封裝(SiP)的優(yōu)勢，SiP，USI 云茂電子一站式微小化解決方案，相較于SoC制程，采用系統(tǒng)級封裝(SiP)的較大優(yōu)勢來自于可以根據(jù)功能和需求自由組合，為客戶提供彈性化設(shè)計。以較常見的智能型手機為例，常見的的功能模塊包括傳感器、Wi-Fi、BT/BLE、RF FEM、電源管理芯片…...等。...

此外，在電源、車載通訊方面也開始進(jìn)行了 SiP 探索和開發(fā)實踐。隨著電子硬件不斷演進(jìn)，過去產(chǎn)品的成本隨著電子硬件不斷演進(jìn)，性能優(yōu)勢面臨發(fā)展瓶頸，而先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)不只可以增加功能、提升產(chǎn)品價值，還有效降低成本。SiP 兼具低成本、低功耗、高性能、小型化和多元化的優(yōu)勢。2021 年，全球 SiP 市場規(guī)模約為 150 億美元；預(yù)計 2021-2026 年，全球 SiP 市場年均復(fù)合增長率將在 5.8% 左右，到 2026 年市場規(guī)模將達(dá)到 199 億美元左右。受益于人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、5G 等產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，預(yù)計未來 5 年，可穿戴智能設(shè)備、IoT 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備將會是推動全球 SiP 市場增長的重...

通信SiP 在無線通信領(lǐng)域的應(yīng)用較早，也是應(yīng)用較為普遍的領(lǐng)域。在無線通訊領(lǐng)域，對于功能傳輸效率、噪聲、體積、重量以及成本等多方面要求越來越高，迫使無線通訊向低成本、便攜式、多功能和高性能等方向發(fā)展。SiP 是理想的解決方案，綜合了現(xiàn)有的芯核資源和半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的優(yōu)勢，降低成本，縮短上市時間，同時克服了 SOC 中諸如工藝兼容、信號混合、噪聲干擾、電磁干擾等難度。手機中的射頻功放，集成了頻功放、功率控制及收發(fā)轉(zhuǎn)換開關(guān)等功能，完整地在 SiP 中得到了解決。SiP封裝方法的應(yīng)用領(lǐng)域逐漸擴展到工業(yè)控制、智能汽車、云計算、醫(yī)療電子等許多新興領(lǐng)域。四川SIP封裝價位近年來，半導(dǎo)體公司面臨更復(fù)雜的高集成度...

無引線縫合（Wireless Bonding）：1、定義，不使用金線連接芯片電極和封裝基板的方法。2、分類；3、TAB，① 工藝流程，使用熱棒工具，將劃片后的芯片Al焊盤（通過電鍍工藝形成Au凸點）與TAB引腳（在聚酰亞胺膠帶開頭處放置的Cu引腳上鍍金而成）進(jìn)行熱黏合，使其鍵合到一起。② 特色，TAB引線有規(guī)則地排列在聚酰亞胺帶上，以卷軸的形式存放。4、FCB，F(xiàn)CB工藝流程：① 在芯片電極上形成金球凸點；② 將芯片翻轉(zhuǎn)朝下，與高性能LSI專門使用的多層布線封裝基板的電極對齊，然后加熱連接；③ 注入樹脂以填滿芯片與封裝基板之間的間隙（底部填充）；④ 在芯片背面貼上散熱片，在封裝基板外部引腳掛上...

SiP 技術(shù)在快速增長的車載辦公系統(tǒng)和娛樂系統(tǒng)中也獲得了成功的應(yīng)用。消費電子目前 SiP 在電子產(chǎn)品里應(yīng)用越來越多，尤其是 TWS 耳機、智能手表、UWB 等對小型化要求高的消費電子領(lǐng)域，不過占有比例較大的還是智能手機，占到了 70%。因為手機射頻系統(tǒng)的不同零部件往往采用不同材料和工藝，包括硅，硅鍺和砷化鎵以及其他無源元件。目前的技術(shù)還不能將這些不同工藝技術(shù)制造的零部件集成在一塊硅芯片上。但是 SiP 工藝卻可以應(yīng)用表面貼裝技術(shù) SMT 集成硅和砷化鎵芯片，還可以采用嵌入式無源元件，非常經(jīng)濟(jì)有效地制成高性能 RF 系統(tǒng)。不同的芯片，排列方式，與不同內(nèi)部結(jié)合技術(shù)搭配，使SiP 的封裝形態(tài)產(chǎn)生多樣...

SMT制程在SIP工藝流程中的三部分都有應(yīng)用：1st SMT PCB貼片 + 3rd SMT FPC貼鎳片 + 4th SMT FPC+COB。SiP失效模式和失效機理，主要失效模式：(1) 焊接異常：IC引腳錫渣、精密電阻連錫。? 原因分析：底部UF (Underfill底部填充）膠填充不佳，導(dǎo)致錫進(jìn)入IC引腳或器件焊盤間空洞造成短路。(2) 機械應(yīng)力損傷：MOS芯片、電容裂紋。? 原因分析：(1) SiP注塑后固化過程產(chǎn)生的應(yīng)力;（2）設(shè)備/治具產(chǎn)生的應(yīng)力。(3) 過電應(yīng)力損傷：MOS、電容等器件EOS損傷。? 原因分析：PCM SiP上的器件受電應(yīng)力損傷（ESD、測試設(shè)備浪涌等）。從某種...

合封電子的功能，性能提升，合封電子：通過將多個芯片或模塊封裝在一起，云茂電子可以明顯提高數(shù)據(jù)處理速度和效率。由于芯片之間的連接更緊密，數(shù)據(jù)傳輸速度更快，從而提高了整體性能。穩(wěn)定性增強，合封電子：由于多個芯片共享一些共同的功能模塊，以及更緊密的集成方式，云茂電子可以減少故障率。功耗降低、開發(fā)簡單，合封電子：由于多個芯片共享一些共同的功能模塊，以及更緊密的集成方式，云茂電子可以降低整個系統(tǒng)的功耗。此外，通過優(yōu)化內(nèi)部連接和布局，可以進(jìn)一步降低功耗。防抄襲，多個芯片和元器件模塊等合封在一起，就算被采購，也無法模仿抄襲。SiP 封裝優(yōu)勢：封裝面積增大，SiP在同一個封裝種疊加兩個或者多個芯片。湖南MEM...

SiP芯片成品的制造過程，系統(tǒng)級封裝（SiP）技術(shù)種類繁多，本文以雙面塑封SiP產(chǎn)品為例，簡要介紹SiP芯片成品的制造過程。SiP封裝通常在一塊大的基板上進(jìn)行，每塊基板可以制造幾十到幾百顆SiP成品。無源器件貼片，倒裝芯片封裝（Flip Chip）貼片——裸片（Die）通過凸點（Bump）與基板互連，回流焊接（正面）——通過控制加溫熔化封裝錫膏達(dá)到器件與基板間的鍵合焊線，鍵合（Wire Bond）——通過細(xì)金屬線將裸片與基板焊盤連接塑封（Molding）——注入塑封材料包裹和保護(hù)裸片及元器件。汽車汽車電子是 SiP 的重要應(yīng)用場景。江蘇陶瓷封裝方案面對客戶在系統(tǒng)級封裝產(chǎn)品的設(shè)計需求，云茂電子具...

SiP失效機理：失效機理是指引起電子產(chǎn)品失效的物理、化學(xué)過程。導(dǎo)致電子產(chǎn)品失效的機理主要包括疲勞、腐蝕、電遷移、老化和過應(yīng)力等物理化學(xué)作用。失效機理對應(yīng)的失效模式通常是不一致的，不同的產(chǎn)品在相同的失效機理作用下會表現(xiàn)為不一樣的失效模式。SiP產(chǎn)品引入了各類新材料和新工藝，特別是越來越復(fù)雜與多樣化的界面和互連方式，這也必然引入新的失效機理與失效模式。SiP的基本組成包括芯片、組件和互連結(jié)構(gòu)。不同功能的芯片通過粘接等方式安裝在基板上，電學(xué)連接是通過鍵合絲鍵合、倒裝焊、粘接、硅通孔等方式實現(xiàn)的。SiP技術(shù)路線表明，越來越多的半導(dǎo)體芯片和封裝將彼此堆疊，以實現(xiàn)更深層次的3D封裝。山東SIP封裝廠商Si...

SiP主流的封裝結(jié)構(gòu)形式，SiP主流的封裝形式有可為多芯片模塊(Multi-chipModule；MCM)的平面式2D封裝，2D封裝中有Stacked Die Module、Substrate Module、FcFBGA/LGA SiP、Hybrid（flip chip+wirebond）SiP-single sided、Hybrid SiP-double sided、eWLB SiP、fcBGA SiP等形式；2.5D封裝中有Antenna-in-Package-SiP Laminate eWLB、eWLB-PoP&2.5D SiP等形式；3D結(jié)構(gòu)是將芯片與芯片直接堆疊，可采用引線鍵合、倒裝...

植入錫球的BGA封裝：① 植球，焊錫球用于高可靠性產(chǎn)品（汽車電子）等的倒裝芯片連接，使用的錫球大多為普通的共晶錫料。植入錫球的BGA封裝，工藝流程：使用焊錫球吸附夾具對焊錫球進(jìn)行真空吸附，該夾具將封裝引腳的位置與裝有焊錫球的槽對齊，通過在預(yù)先涂有助焊劑的封裝基板的引腳位置植入錫球來實現(xiàn)。SIP：1、定義，SIP（System In Package）是將具有各種特定功能的LSI封裝到一個封裝中。而系統(tǒng)LSI是將單一的SoC（System on Chip）集成到一個芯片中。2、Sip封裝類型：① 通過引線縫合的芯片疊層封裝，② 充分利用倒裝焊技術(shù)的3D封裝。隨著SIP封裝元件數(shù)量和種類增多，在尺寸...

SIP發(fā)展趨勢，多樣化，復(fù)雜化，密集化，SIP集成化越來越復(fù)雜，元件種類越來越多，球間距越來越小，開始采用銅柱代替錫球。多功能化，技術(shù)前沿化，低成本化，新技術(shù)，多功能應(yīng)用較前沿，工藝成熟，成板下降。工藝難點，清洗，定制清洗設(shè)備、清洗溶液要求、清洗參數(shù)驗證、清洗標(biāo)準(zhǔn)制定，植球，植球設(shè)備選擇、植球球徑要求、球體共面性檢查、BGA測試、助焊劑殘留要求。SIP技術(shù)是一項先進(jìn)的系統(tǒng)集成和封裝技術(shù)，與其它封裝技術(shù)相比較，SIP技術(shù)具有一系列獨特的技術(shù)優(yōu)勢，滿足了當(dāng)今電子產(chǎn)品更輕、更小和更薄的發(fā)展需求，在微電子領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用市場和發(fā)展前景。。此外，國際上至今尚沒有制定出SIP技術(shù)的統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，在一定程度妨...

PoP封裝技術(shù)有以下幾個有點：1）存儲器件和邏輯器件可以單獨地進(jìn)行測試或替換，保障了良品率；2）雙層POP封裝節(jié)省了基板面積, 更大的縱向空間允許更多層的封裝；3）可以沿PCB的縱向?qū)ram,DdramSram,Flash,和 微處理器進(jìn)行混合裝聯(lián)；4）對于不同廠家的芯片, 提供了設(shè)計靈活性,可以簡單地混合裝聯(lián)在一起以滿足客戶的需求，降低了設(shè)計的復(fù)雜性和成本；5）目前該技術(shù)可以取得在垂直方向進(jìn)行層芯片外部疊加裝聯(lián)；6）頂?shù)讓悠骷B層組裝的電器連接，實現(xiàn)了更快的數(shù)據(jù)傳輸速率，可以應(yīng)對邏輯器件和存儲器件之間的高速互聯(lián)。SiP系統(tǒng)級封裝技術(shù)將處理芯片、存儲芯片、被動元件、連接器、天線等多功能器件整...

對于堆疊結(jié)構(gòu)，可以區(qū)分如下幾種：芯片堆疊、PoP、PiP、TSV。堆疊芯片，是一種兩個或更多芯片堆疊并粘合在一個封裝中的組裝技術(shù)。這較初是作為一種將兩個內(nèi)存芯片放在一個封裝中以使內(nèi)存密度翻倍的方法而開發(fā)的。 無論第二個芯片是在頭一個芯片的頂部還是在它旁邊，都經(jīng)常使用術(shù)語“堆疊芯片”。技術(shù)已經(jīng)進(jìn)步，可以堆疊許多芯片，但總數(shù)量受到封裝厚度的限制。芯片堆疊技術(shù)已被證明可以多達(dá) 24 個芯片堆疊。然而，大多數(shù)使用9 芯片高度的堆疊芯片封裝技術(shù)的來解決復(fù)雜的測試、良率和運輸挑戰(zhàn)。芯片堆疊也普遍應(yīng)用在傳統(tǒng)的基于引線框架的封裝中，包括QFP、MLF 和 SOP 封裝形式。如下圖2.21的堆疊芯片封裝形式。在...

較終的SiP是什么樣子的呢？理論上，它應(yīng)該是一個與外部沒有任何連接的單獨組件。它是一個定制組件，非常適合它想要做的工作，同時不需要外部物理連接進(jìn)行通信或供電。它應(yīng)該能夠產(chǎn)生或獲取自己的電力，自主工作，并與信息系統(tǒng)進(jìn)行無線通信。此外，它應(yīng)該相對便宜且耐用，使其能夠在大多數(shù)天氣條件下運行，并在發(fā)生故障時廉價更換。隨著對越來越簡化和系統(tǒng)級集成的需求，這里的組件將成為明天的SiP就緒組件，而這里的SiP將成為子系統(tǒng)級封裝（SSiP）。SiP就緒組件和SSiP將被集成到更大的SiP中，因為系統(tǒng)集成使SiP技術(shù)越來越接近較終目標(biāo)：較終SiP。SIP與SOC，SOC(System On a Chip，系統(tǒng)級...

SiP以后會是什么樣子的呢？理論上，它應(yīng)該是一個與外部沒有任何連接的單獨組件。它是一個定制組件，非常適合它想要做的工作，同時不需要外部物理連接進(jìn)行通信或供電。它應(yīng)該能夠產(chǎn)生或獲取自己的電力，自主工作，并與信息系統(tǒng)進(jìn)行無線通信。此外，它應(yīng)該相對便宜且耐用，使其能夠在大多數(shù)天氣條件下運行，并在發(fā)生故障時廉價更換。隨著對越來越簡化和系統(tǒng)級集成的需求，這里的組件將成為明天的SiP就緒組件，而這里的SiP將成為子系統(tǒng)級封裝（SSiP）。SiP就緒組件和SSiP將被集成到更大的SiP中，因為系統(tǒng)集成使SiP技術(shù)越來越接近較終目標(biāo)：較終SiP。SIP是從封裝的立場出發(fā)，對不同芯片進(jìn)行并排或疊加的封裝方式，實...

SiP系統(tǒng)級封裝(SiP)制程關(guān)鍵技術(shù)，高密度打件，在高密度打件制程方面，云茂電子已達(dá)到約為嬰兒發(fā)絲直徑的40μm。以10x10被動組件數(shù)組做比較，大幅縮減超過70%的主板面積，其中的40%乃源自于打件技術(shù)的突破。 塑封 由于高密度打件采用微小化元器件與制程，因此元器件與載板之間的連結(jié)，吃錫量大幅減少，為提高打件可靠度，避免外界濕度、高溫及壓力等影響，塑封制程可將完整的元器件密封包覆在載板上。相較于一般委外封測(OSAT)塑封約100顆左右，云茂電子的系統(tǒng)級封裝塑封技術(shù)，則是可容納高達(dá)900顆組件。 SiP封裝方法的應(yīng)用領(lǐng)域逐漸擴展到工業(yè)控制、智能汽車、云計算、醫(yī)療電子等許多新興領(lǐng)域。上...

幾種類型的先進(jìn)封裝技術(shù)：首先就是 SiP，隨著 5G 的部署加快，這類封裝技術(shù)的應(yīng)用范圍將越來越普遍。其次是應(yīng)用于 Chiplet SiP 的 2.5D/3D 封裝，以及晶圓級封裝，并且利用晶圓級技術(shù)在射頻特性上的優(yōu)勢推進(jìn)扇出型（Fan-Out）封裝。很多半導(dǎo)體廠商都有自己的 SiP 技術(shù)，命名方式各有不同。比如，英特爾叫 EMIB、臺積電叫 SoIC。這些都是 SiP 技術(shù)，差別就在于制程工藝。在智能手機領(lǐng)域，除射頻模塊外，通用單元電路小型化需求正推升 SiP 技術(shù)的采用率；可穿戴領(lǐng)域，已經(jīng)有在耳機和智能手表上應(yīng)用 SiP 技術(shù)。SiP封裝基板半導(dǎo)體芯片封裝基板是封裝測試環(huán)境的關(guān)鍵載體。浙江...

SIP工藝解析：裝配焊料球，目前業(yè)內(nèi)采用的植球方法有兩種：“錫膏”+“錫球”和“助焊膏”+“錫球”。(1)“錫膏”+“錫球”，具體做法就是先把錫膏印刷到BGA的焊盤上，再用植球機或絲網(wǎng)印刷在上面加上一定大小的錫球。(2)“助焊膏”+“錫球”，“助焊膏”+“錫球”是用助焊膏來代替錫膏的角色。分離，為了提高生產(chǎn)效率和節(jié)約材料，大多數(shù)SIP的組裝工作都是以陣列組合的方式進(jìn)行，在完成模塑與測試工序以后進(jìn)行劃分，分割成為單個的器件。劃分分割主要采用沖壓工藝。系統(tǒng)級封裝（SiP）技術(shù)是通過將多個裸片（Die）及無源器件整合在單個封裝體內(nèi)的集成電路封裝技術(shù)。陜西MEMS封裝技術(shù)SiP以后會是什么樣子的呢？理...

SIP類型，從目前業(yè)界SIP的設(shè)計類型和結(jié)構(gòu)區(qū)分，SIP可分為以下幾類。2D SIP，2D封裝是指在基板的表面水平安裝所有芯片和無源器件的集成方式。以基板（Substrate）上表面的左下角為原點，基板上表面所處的平面為XY平面，基板法線為Z軸，創(chuàng)建坐標(biāo)系。2D封裝方面包含F(xiàn)OWLP、FOPLP和其他技術(shù)。物理結(jié)構(gòu)：所有芯片和無源器件均安裝在基板平面，芯片和無源器件與XY平面直接接觸，基板上的布線和過孔位于XY平面下方。電氣連接：均需要通過基板（除了極少數(shù)通過鍵合線直接連接的鍵合點）。SiP 封裝采用超薄的芯片堆疊與TSV技術(shù)使得多層芯片的堆疊封裝體積減小。深圳MEMS封裝方式什么是系統(tǒng)級封裝...

合封電子、芯片合封和SiP系統(tǒng)級封裝經(jīng)常被提及的概念。但它們是三種不同的技術(shù)，還是同一種技術(shù)的不同稱呼？本文將幫助我們更好地理解它們的差異。合封電子與SiP系統(tǒng)級封裝的定義，首先合封電子和芯片合封都是一個意思合封電子是一種將多個芯片（多樣選擇）或不同的功能的電子模塊（LDO、充電芯片、射頻芯片、mos管）封裝在一起的定制化芯片，從而形成一個系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。以實現(xiàn)更復(fù)雜、更高效的任務(wù)。云茂電子可定制組成方式包括CoC封裝技術(shù)、SiP封裝技術(shù)等。隨著SiP模塊成本的降低，且制造工藝效率和成熟度的提高。貴州WLCSP封裝測試硅中介層具有TSV集成方式為2.5D集成技術(shù)中較為普遍的方式，芯片一般用Mi...