n型二極管的下層為n型摻雜區(qū),上層為p型摻雜區(qū),下層底面鍍銀,上層頂面鍍鋁;第三整流二極管dz3及第四整流二極管dz4為p型二極管,p型二極管的下層為p型摻雜區(qū),上層為n型摻雜區(qū),下層底面鍍銀,上層頂面鍍鋁。所述一整流二極管dz1的負(fù)極(金屬銀層)通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于高壓供電基島13上,正極(金屬鋁層)通過(guò)金屬引線連接所述零線管腳n。所述第二整流二極管dz2的負(fù)極(金屬銀層)通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述高壓供電基島13上,正極(金屬鋁層)通過(guò)金屬引線連接所述火線管腳l。所述第三整流二極管dz3的正極(金屬銀層)通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于信號(hào)地基島14上,負(fù)極(金屬鋁層)通過(guò)金屬引線連接所述...
本實(shí)用新型將整流橋和系統(tǒng)其他功能芯片集成封裝,節(jié)約系統(tǒng)多芯片封裝成本,并有助于系統(tǒng)小型化。綜上所述,本實(shí)用新型提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組,包括:塑封體,設(shè)置于所述塑封體邊緣的火線管腳、零線管腳、高壓供電管腳、信號(hào)地管腳、漏極管腳、采樣管腳,以及設(shè)置于所述塑封體內(nèi)的整流橋、功率開(kāi)關(guān)管、邏輯電路、至少兩個(gè)基島;其中,所述整流橋包括四個(gè)整流二極管,各整流二極管的正極和負(fù)極分別通過(guò)基島或引線連接至對(duì)應(yīng)管腳;所述邏輯電路連接對(duì)應(yīng)管腳,產(chǎn)生邏輯控制信號(hào);所述功率開(kāi)關(guān)管的柵極連接所述邏輯控制信號(hào),漏極及源極分別連接對(duì)應(yīng)管腳;所述功率開(kāi)關(guān)管及所述邏輯電路分立設(shè)置或集成于控制芯片內(nèi)。本實(shí)用新...
以上就是ASEMI對(duì)于整流橋接法的兩個(gè)方面介紹正、負(fù)極性全波整流電路及故障處理如圖9-24所示是能夠輸出正、負(fù)極性單向脈動(dòng)直流電壓的全波整流電路。電路中的T1是電源變壓器,它的次級(jí)線圈有一個(gè)中心抽頭,抽頭接地。電路由兩組全波整流電路構(gòu)成,VD2和VD4構(gòu)成一組正極性全波整流電路,VD1和VD3構(gòu)成另一組負(fù)極性全波整流電路,兩組全波整流電路共用次級(jí)線圈。圖9-24輸出正、負(fù)極性直流電壓的全波整流電路1.電路分析方法關(guān)于正、負(fù)極性全波整流電路分析方法說(shuō)明下列2點(diǎn):(1)在確定了電路結(jié)構(gòu)之后,電路分析方法和普通的全波整流電路一樣,只是需要分別分析兩組不同極性全波整流電路,如果已經(jīng)掌握了全波整...
在元器件的相關(guān)參數(shù)表里,生產(chǎn)廠家都會(huì)提供該器件在自然冷卻情況下的結(jié)—環(huán)境的熱阻(Rja)和當(dāng)元器件自帶一散熱器,通過(guò)散熱器進(jìn)行器件冷卻的結(jié)--殼熱阻(Rjc)。整流橋接線方法及接線圖整流橋連接方法主要分兩種情況來(lái)理解,一個(gè)是實(shí)物產(chǎn)品與電路圖的對(duì)應(yīng)方式。如上圖所示:左側(cè)為橋式整流電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖,B3作為整流正極輸出,C4作為整流負(fù)極輸出,A1與A2共同作為交流輸入端。右側(cè)為整流橋?qū)嵨锂a(chǎn)品圖樣式,A1與A2集成在了中間位置,正負(fù)極在**外側(cè)。實(shí)際運(yùn)用中我們只需要將實(shí)物C4負(fù)極腳位對(duì)應(yīng)連接電路圖C4點(diǎn),實(shí)物B3正極腳位與電路圖B3相連接。上訴方式即為整流橋?qū)嵨锂a(chǎn)品與電路原理圖的連接方式。整流...
這種多層保護(hù)使電力半導(dǎo)體器件芯片的性能穩(wěn)定可靠。半導(dǎo)體芯片直接焊在DBC基板上,而芯片正面都焊有經(jīng)表面處理的鉬片或直接用鋁絲鍵合作為主電極的引出線,而部分連線是通過(guò)DBC板的刻蝕圖形來(lái)實(shí)現(xiàn)的。根據(jù)三相整流橋電路共陽(yáng)和共陰的連接特點(diǎn),F(xiàn)RED芯片采用三片是正燒(即芯片正面是陰極、反面是陽(yáng)極)和三片是反燒(即芯片正面是陽(yáng)極、反面是陰極),并利用DBC基板的刻蝕圖形,使焊接簡(jiǎn)化。同時(shí),所有主電極的引出端子都焊在DBC基板上,這樣使連線減少,模塊可靠性提高。4、外殼:殼體采用抗壓、抗拉和絕緣強(qiáng)度高以及熱變溫度高的,并加有40%玻璃纖維的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料組成,它能很好地解決與銅底板、...
包括但不限于高壓供電基島13或漏極基島15)或不同基島(包括但不限于高壓供電基島13及漏極基島15),在此不一一贅述。作為本實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式,如圖5所示,所述整流橋設(shè)置于火線基島16及零線基島17上。具體地,所述整流橋采用兩個(gè)n型二極管及兩個(gè)p型二極管實(shí)現(xiàn),其中,第五整流二極管dz5及第六整流二極管dz6為n型二極管,所述第七整流二極管dz7及第八整流二極管dz8為p型二極管。所述第五整流二極管dz5的負(fù)極通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述火線基島16上,正極通過(guò)金屬引線連接所述信號(hào)地管腳gnd。所述第六整流二極管dz6的負(fù)極通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述零線基島17上,正極通過(guò)金屬引線連接所...
所述負(fù)載連接于所述第三電容的兩端;所述第二采樣電阻的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的采樣管腳,另一端接地。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本實(shí)用新型還提供一種電源模組,所述電源模組至少包括:上述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu),第四電容,變壓器,二極管,第五電容,負(fù)載及第三采樣電阻;所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的火線管腳連接火線,零線管腳連接零線,信號(hào)地管腳接地;所述第四電容的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的高壓供電管腳,另一端接地;所述變壓器的圈一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的高壓供電管腳,另一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的漏極管腳;所述變壓器的第二線圈一端經(jīng)由所述二極管及所述第五電容連接所述...
生產(chǎn)廠家都會(huì)提供該器件在自然冷卻情況下的結(jié)—環(huán)境的熱阻(Rja)和當(dāng)元器件自帶一散熱器,通過(guò)散熱器進(jìn)行器件冷卻的結(jié)--殼熱阻(Rjc)。2整流橋模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)1、鋁基導(dǎo)熱底板:其功能為陶瓷覆鋁板(DBC基板)提供聯(lián)結(jié)支撐和導(dǎo)熱通道,并作為整個(gè)模塊的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)。因此,它必須具有高導(dǎo)熱性和易焊性。由于它要與DBC基板進(jìn)行高溫焊接,又因它們之間熱線性膨脹系數(shù)鋁為16.7×10-6/℃,DBC約不5.6×10-6/℃)相差較大,為此,除需采用摻磷、鎂的銅銀合金外,并在焊接前對(duì)銅底板要進(jìn)行一定弧度的預(yù)彎,這種存在s一定弧度的焊成品,能在模塊裝置到散熱器上時(shí),使它們之間有充分的接觸,從而降低模塊的接...
在元器件的相關(guān)參數(shù)表里,生產(chǎn)廠家都會(huì)提供該器件在自然冷卻情況下的結(jié)—環(huán)境的熱阻(Rja)和當(dāng)元器件自帶一散熱器,通過(guò)散熱器進(jìn)行器件冷卻的結(jié)--殼熱阻(Rjc)。整流橋接線方法及接線圖整流橋連接方法主要分兩種情況來(lái)理解,一個(gè)是實(shí)物產(chǎn)品與電路圖的對(duì)應(yīng)方式。如上圖所示:左側(cè)為橋式整流電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖,B3作為整流正極輸出,C4作為整流負(fù)極輸出,A1與A2共同作為交流輸入端。右側(cè)為整流橋?qū)嵨锂a(chǎn)品圖樣式,A1與A2集成在了中間位置,正負(fù)極在**外側(cè)。實(shí)際運(yùn)用中我們只需要將實(shí)物C4負(fù)極腳位對(duì)應(yīng)連接電路圖C4點(diǎn),實(shí)物B3正極腳位與電路圖B3相連接。上訴方式即為整流橋?qū)嵨锂a(chǎn)品與電路原理圖的連接方式。整流...
本實(shí)用新型屬于電磁閥技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種電磁閥的帶整流橋繞組塑封機(jī)構(gòu)。背景技術(shù):大多數(shù)家用電器上使用的需要實(shí)現(xiàn)全波整流功能的進(jìn)水電磁閥,普遍將整流橋堆設(shè)置在電腦板等外部設(shè)備上,占用了電腦板上有限的空間,造成制造成本偏高,且有一定的故障率,一旦整流橋堆失效,整塊電腦板都將報(bào)廢。雖然目前市場(chǎng)上出現(xiàn)了內(nèi)嵌整流橋堆的進(jìn)水電磁閥,但有些由于繞組塑封的結(jié)構(gòu)不合理,金屬件之間的爬電距離設(shè)置過(guò)小,導(dǎo)致產(chǎn)品的電氣性能較差,安全性較差,在一些嚴(yán)酷條件下使用很容易損壞塑封,引起產(chǎn)品失效,嚴(yán)重的會(huì)燒毀家用電器;有些由于工藝過(guò)于復(fù)雜,橋堆跟線圈在同一側(cè),導(dǎo)致橋堆在線圈發(fā)熱時(shí)損傷。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本實(shí)用新型為了...
一插片、第二插片之間通過(guò)線圈架隔開(kāi),可以明顯增大爬電距離,從而提高了電氣性能和可靠性,提升了產(chǎn)品質(zhì)量;而且整流橋堆放置在線圈架繞線的不同側(cè),減少了線圈發(fā)熱引起整流橋堆損傷或整個(gè)繞組的二次損傷。附圖說(shuō)明圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型的圖。圖3為本實(shí)用新型線圈架的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本實(shí)用新型整流橋堆的構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好的理解本實(shí)用新型方案,下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述。如圖1-4所示,一種電磁閥的帶整流橋繞組塑封機(jī)構(gòu),包線圈架1、繞組、插片組件及塑封殼,其中所述線圈架1為一塑料架,該線圈...
n型二極管的下層為n型摻雜區(qū),上層為p型摻雜區(qū),下層底面鍍銀,上層頂面鍍鋁;第三整流二極管dz3及第四整流二極管dz4為p型二極管,p型二極管的下層為p型摻雜區(qū),上層為n型摻雜區(qū),下層底面鍍銀,上層頂面鍍鋁。所述一整流二極管dz1的負(fù)極(金屬銀層)通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于高壓供電基島13上,正極(金屬鋁層)通過(guò)金屬引線連接所述零線管腳n。所述第二整流二極管dz2的負(fù)極(金屬銀層)通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述高壓供電基島13上,正極(金屬鋁層)通過(guò)金屬引線連接所述火線管腳l。所述第三整流二極管dz3的正極(金屬銀層)通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于信號(hào)地基島14上,負(fù)極(金屬鋁層)通過(guò)金屬引線連接所述...
如上所述,本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組,具有以下有益效果:本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組將整流橋、功率開(kāi)關(guān)管、邏輯電路通過(guò)一個(gè)引線框架封裝在同一個(gè)塑封體中,以此減小封裝成本。附圖說(shuō)明圖1顯示為本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的一種實(shí)現(xiàn)方式。圖2顯示為本實(shí)用新型的電源模組的一種實(shí)現(xiàn)方式。圖3顯示為本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的另一種實(shí)現(xiàn)方式。圖4顯示為本實(shí)用新型的電源模組的另一種實(shí)現(xiàn)方式。圖5顯示為本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)的又一種實(shí)現(xiàn)方式。圖6顯示為本實(shí)用新型的電源模組的又一種實(shí)現(xiàn)方式。圖7顯示為本實(shí)用新型的電源模組的再一種實(shí)現(xiàn)方式。元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明1合...
n型二極管的下層為n型摻雜區(qū),上層為p型摻雜區(qū),下層底面鍍銀,上層頂面鍍鋁;第三整流二極管dz3及第四整流二極管dz4為p型二極管,p型二極管的下層為p型摻雜區(qū),上層為n型摻雜區(qū),下層底面鍍銀,上層頂面鍍鋁。所述一整流二極管dz1的負(fù)極(金屬銀層)通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于高壓供電基島13上,正極(金屬鋁層)通過(guò)金屬引線連接所述零線管腳n。所述第二整流二極管dz2的負(fù)極(金屬銀層)通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述高壓供電基島13上,正極(金屬鋁層)通過(guò)金屬引線連接所述火線管腳l。所述第三整流二極管dz3的正極(金屬銀層)通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于信號(hào)地基島14上,負(fù)極(金屬鋁層)通過(guò)金屬引線連接所述...
整流橋模塊的損壞原因及解決辦法:-整流橋模塊損壞,通常是由于電網(wǎng)電壓或內(nèi)部短路引起。在排除內(nèi)部短路情況下,我們可以更換整流橋模塊。而導(dǎo)致整流橋損壞的原因有以下5個(gè)原因1、散熱片不夠大,過(guò)載沖擊電流過(guò)大,熱量散發(fā)不出來(lái)。2、負(fù)載短路,絕緣不好,負(fù)荷電流過(guò)大引起;3、頻繁的啟停電源,若是感性負(fù)載屬于儲(chǔ)能元件!那么會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。將整流元件反向擊穿。在橋整流時(shí)只要一個(gè)壞了。則對(duì)稱橋臂必?zé)龎模?、個(gè)別元件使用時(shí)間較長(zhǎng),質(zhì)量下降!5、輸入電壓過(guò)高。整流橋模塊壞了的解決辦法(1)找到引起整流橋模塊損壞的根本原因,并消除,防止換上新整流橋又發(fā)生損壞。(2)更換新整流橋模塊,對(duì)焊接的整流橋模塊需確保焊...
n型二極管的下層為n型摻雜區(qū),上層為p型摻雜區(qū),下層底面鍍銀,上層頂面鍍鋁;第三整流二極管dz3及第四整流二極管dz4為p型二極管,p型二極管的下層為p型摻雜區(qū),上層為n型摻雜區(qū),下層底面鍍銀,上層頂面鍍鋁。所述一整流二極管dz1的負(fù)極(金屬銀層)通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于高壓供電基島13上,正極(金屬鋁層)通過(guò)金屬引線連接所述零線管腳n。所述第二整流二極管dz2的負(fù)極(金屬銀層)通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述高壓供電基島13上,正極(金屬鋁層)通過(guò)金屬引線連接所述火線管腳l。所述第三整流二極管dz3的正極(金屬銀層)通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于信號(hào)地基島14上,負(fù)極(金屬鋁層)通過(guò)金屬引線連接所述...
假設(shè)其PCB板的實(shí)際有效散熱面積為整流橋表面積的2倍,則PCB板與環(huán)境間的傳熱熱阻為:故,通過(guò)整流橋引腳這條傳熱途徑的熱阻為:比較上述兩種傳熱途徑的熱阻可知:整流橋通過(guò)殼體表面自然對(duì)流冷卻進(jìn)行散熱的熱阻()是通過(guò)引腳進(jìn)行散熱這種散熱途徑的熱阻()的。于是我們可以得出如下結(jié)論:在自然冷卻的情況下,整流橋的散熱主要是通過(guò)其引腳線(輸出引腳正負(fù)極)與PCB板的焊盤(pán)來(lái)進(jìn)行的。因此,在整流橋的損耗不大,并用自然冷卻方式進(jìn)行散熱時(shí),我們可以通過(guò)增加與整流橋焊接的PCB表面的銅覆蓋面積來(lái)改善其整流橋的散熱狀況。同時(shí),我們可以根據(jù)上述的兩條傳熱途徑得到整流橋內(nèi)二極管結(jié)溫到周?chē)h(huán)境間的總熱阻,即:其實(shí)這...
而是檢測(cè)電源變壓器,因?yàn)閹字徽鞫O管同時(shí)出現(xiàn)相同故障的可能性較小。(2)對(duì)于某一組整流電路出現(xiàn)故障時(shí),可按前面介紹的故障檢測(cè)方法進(jìn)行檢查。這一電路中整流二極管中的二極管VD1和VD3、VD2和VD4是直流電路并聯(lián)的,進(jìn)行在路檢測(cè)時(shí)會(huì)相互影響,所以準(zhǔn)確的檢測(cè)應(yīng)該將二極管脫開(kāi)電路。4.電路故障分析如表9-29所示是正、負(fù)極性全波整流電路的故障分析。如圖9-25所示是典型的正極性橋式整流電路,VD1~VD4是一組整流二極管,T1是電源變壓器。圖9-25正極性橋式整流電路橋式整流電路具有下列幾個(gè)明顯的電路特征和工作特點(diǎn):(1)每一組橋式整流電路中要用四只整流二極管,或用一只橋堆(一種4只整流...
③由于此時(shí)整流橋的散熱狀況與散熱器的熱阻密切相關(guān),因此散熱器熱阻的大小將直接影響到整流橋上溫度的高低。由此可以看出,在生產(chǎn)廠家所提供的整流橋參數(shù)表中關(guān)于整流橋帶散熱器的熱阻時(shí),只可能是整流橋背面的結(jié)--殼(Rjc)或整流橋殼體上的總的結(jié)--殼熱阻(正面和背面熱阻的并聯(lián));此時(shí)的結(jié)--環(huán)境的熱阻已經(jīng)沒(méi)有參考價(jià)值,因?yàn)樗请S著散熱器的熱阻而明顯地發(fā)生變化的。折疊殼溫確定整流橋在強(qiáng)迫風(fēng)冷冷卻時(shí)殼溫的確定由以上兩種情況三種不同散熱冷卻形式的分析與計(jì)算,我們可以得出:在整流橋自然冷卻時(shí),我們可以直接采用生產(chǎn)廠家所提供的結(jié)--環(huán)境熱阻(Rja),來(lái)計(jì)算整流橋的結(jié)溫,從而可以方便地檢驗(yàn)我們的設(shè)計(jì)是否...
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,特別是涉及一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組。背景技術(shù):目前照明領(lǐng)域led驅(qū)動(dòng)照明正在大規(guī)模代替節(jié)能燈的應(yīng)用,由于用量十分巨大,對(duì)于成本的要求比較高。隨著系統(tǒng)成本的一再降低,主流的拓?fù)浼軜?gòu)基本已經(jīng)定型,很難再?gòu)耐馊?jié)省某個(gè)元器件,同時(shí)芯片工藝的提升對(duì)于高壓模擬電路來(lái)說(shuō)成本節(jié)省有限,基本也壓縮到了。目前的主流的小功率交流led驅(qū)動(dòng)電源方案一般由整流橋、芯片(含功率mos器件)、高壓續(xù)流二極管、電感、輸入輸出電容等元件組成,系統(tǒng)中至少有三個(gè)不同封裝的芯片,導(dǎo)致芯片的封裝成本高,基本上占到了芯片成本的一半左右,因此,如何節(jié)省封裝成本,已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決...
折疊摘要應(yīng)用整流橋到電路中,主要考慮它的大工作電流和大反向電壓。針對(duì)整流橋不同冷卻方式的選擇和對(duì)其散熱過(guò)程的詳細(xì)分析,來(lái)闡述元器件廠家提供的元器件熱阻(Rja和Rjc)的具體含義,并在此基礎(chǔ)上提出一種在技術(shù)上可行、使用上操作性強(qiáng)的測(cè)量整流橋殼溫的方法,為電源產(chǎn)品合理應(yīng)用整流橋提供借鑒。關(guān)鍵詞:整流橋殼溫測(cè)量方法折疊前言整流橋作為一種功率元器件,非常廣。應(yīng)用于各種電源設(shè)備。其內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來(lái)實(shí)現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。在整流橋的每個(gè)工作周期內(nèi),同一時(shí)間只有兩個(gè)二極管進(jìn)行工作,通過(guò)二極管的單向?qū)üδ?,把交流電轉(zhuǎn)換成單向的直流脈動(dòng)電壓。對(duì)一般常用的小功率整流...
高壓端口hv通過(guò)金屬引線連接所述高壓供電基島13,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與所述高壓供電管腳hv的連接,接地端口gnd通過(guò)金屬引線連接所述信號(hào)地基島14,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與所述信號(hào)地管腳gnd的連接。需要說(shuō)明的是,所述邏輯電路122可根據(jù)設(shè)計(jì)需要設(shè)置在不同的基島上,與所述控制芯片12的設(shè)置方式類(lèi)似,在此不一一贅述作為本實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式,所述漏極管腳drain的寬度大于,進(jìn)一步設(shè)置為~1mm,以加強(qiáng)散熱,達(dá)到封裝熱阻的作用。本實(shí)施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)采用三基島架構(gòu),將整流橋、功率開(kāi)關(guān)管、邏輯電路及高壓續(xù)流二極管集成在一個(gè)引線框架內(nèi),由此降低封裝成本。如圖4所示,本實(shí)施例還提供一種電源模組,所述電源模組包...
所述負(fù)載連接于所述第三電容c3的兩端。具體地,在本實(shí)施例中,所述負(fù)載為led燈串,所述led燈串的正極連接所述高壓供電管腳hv,負(fù)極連接所述第三電容c3與所述一電感l(wèi)1的連接節(jié)點(diǎn)。如圖4所示,所述第二采樣電阻rcs2的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的采樣管腳cs,另一端接地。本實(shí)施例的電源模組為非隔離場(chǎng)合的小功率led驅(qū)動(dòng)電源應(yīng)用,適用于高壓buck(5w~25w)。實(shí)施例三如圖5所示,本實(shí)施例提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu),與實(shí)施例一及實(shí)施例二的不同之處在于,所述整流橋的設(shè)置方式不同,且還包括瞬態(tài)二極管dtvs。如圖5所示,在本實(shí)施例中,所述瞬態(tài)二極管dtvs與所述高壓續(xù)流二極管d...
所述負(fù)載連接于所述第三電容c3的兩端。具體地,在本實(shí)施例中,所述負(fù)載為led燈串,所述led燈串的正極連接所述高壓供電管腳hv,負(fù)極連接所述第三電容c3與所述一電感l(wèi)1的連接節(jié)點(diǎn)。如圖4所示,所述第二采樣電阻rcs2的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的采樣管腳cs,另一端接地。本實(shí)施例的電源模組為非隔離場(chǎng)合的小功率led驅(qū)動(dòng)電源應(yīng)用,適用于高壓buck(5w~25w)。實(shí)施例三如圖5所示,本實(shí)施例提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu),與實(shí)施例一及實(shí)施例二的不同之處在于,所述整流橋的設(shè)置方式不同,且還包括瞬態(tài)二極管dtvs。如圖5所示,在本實(shí)施例中,所述瞬態(tài)二極管dtvs與所述高壓續(xù)流二極管d...
整流橋通常是由兩只或四只整流硅芯片作橋式連接,兩只的為半橋,四只的則稱全橋。外部采用絕緣朔料封裝而成,大功率整流橋在絕緣層外添加鋅金屬殼包封,增強(qiáng)散熱性能。一、整流橋定義整流橋就是將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了,分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將兩個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路,一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路,選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。二、整流橋作用整流橋作為一種功率元器件,非常***。應(yīng)用于各種電源設(shè)備。三、整流橋工作原理整流橋有多種方法可以用整流二極管將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,包括半波整流、全波...
大多數(shù)的整流全橋上均標(biāo)注有“+”、“一”、“~”符號(hào)(其中“+”為整流后輸出電壓的正極,“一”為輸出電壓的負(fù)極,兩個(gè)“~”為交流電壓輸入端),很容易確定出各電極。檢測(cè)時(shí),可通過(guò)分別測(cè)量“+”極與兩個(gè)“~”極、“一”極與兩個(gè)“~”之間各整流二極管的正、反向電阻值(與普通二極管的測(cè)量方法相同)是否正常,即可判斷該全橋是否損壞。若測(cè)得全橋內(nèi)某只二極管的正、反向電阻值均為0或均為無(wú)窮大,則可判斷該二極管已擊穿或開(kāi)路損壞。高壓硅堆的檢測(cè)高壓硅堆內(nèi)部是由多只高壓整流二極管(硅粒)串聯(lián)組成,檢測(cè)時(shí),可用萬(wàn)用表的R×lok擋測(cè)量其正、反向電阻值。正常的高壓硅堆的正向電阻值大于200kfl,反向電阻值為...
并且兩個(gè)為對(duì)稱設(shè)置,在所述一限位凸部101上設(shè)有凹陷部11,所述一插片21嵌入到所述凹陷部11當(dāng)中。具體的,所述第二插片22為金屬銅片,在所述一限位凸部101上設(shè)有插接槽100,所述第二插片22的一端插入到所述插接槽100當(dāng)中;并且在所述插接槽100的內(nèi)壁上設(shè)有開(kāi)口104,所述第二插片22上設(shè)有卡扣凸部220,所述卡扣220可卡入到所述開(kāi)口104當(dāng)中;在所述第二插片22的側(cè)壁上設(shè)有電連凸部221,所述電連凸部221與所述第二插片22一體成型;所述整流橋堆3一側(cè)設(shè)凸出部31,所述凸出部31為兩個(gè),一個(gè)凸出部31對(duì)應(yīng)一個(gè)電連凸部221;所述凸出部31與所述電連凸部221通過(guò)焊錫連接在一起;...