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MOS電容的詳細介紹首先考察一個更簡單的器件——MOS電容——能更好的理解MOS管。這個器件有兩個電極，一個是金屬，另一個是外在硅，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE，而半導(dǎo)體端就是backgate或者body。他們之間的絕緣氧化層稱為柵介質(zhì)（gatedielectric）。這個MOS電容的電特性能通過把backgate接地，gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORKFUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個小電場。在器件中，這個電場使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負電位。這個電場把硅中底層的電子吸引到表面...

對于電池供電的便攜式電子設(shè)備來說，電路的工作電壓低(以鋰電池為例，工作電壓～)，因此，電源芯片的工作電壓較低。MOS管具有很低的導(dǎo)通電阻，消耗能量較低，在目前流行的高效DC-DC芯片中多采用MOS管作為功率開關(guān)。但是由于MOS管的寄生電容大，一般情況下NMOS開關(guān)管的柵極電容高達幾十皮法。這對于設(shè)計高工作頻率DC-DC轉(zhuǎn)換器開關(guān)管驅(qū)動電路的設(shè)計提出了更高的要求。在低電壓ULSI設(shè)計中有多種CMOS、BiCMOS采用自舉升壓結(jié)構(gòu)的邏輯電路和作為大容性負載的驅(qū)動電路。這些電路能夠在低于1V電壓供電條件下正常工作，并且能夠在負載電容1～2pF的條件下工作頻率能夠達到幾十兆甚至上百兆赫茲。本文...

這就提出一個要求，需要使用一個電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管，同時高壓側(cè)的MOS管也同樣會面對1和2中提到的問題。在這三種情況下，圖騰柱結(jié)構(gòu)無法滿足輸出要求，而很多現(xiàn)成的MOS驅(qū)動IC，似乎也沒有包含gate電壓限制的結(jié)構(gòu)。于是我設(shè)計了一個相對通用的電路來滿足這三種需求。mos管工作原理圖如下：用于NMOS的驅(qū)動電路用于PMOS的驅(qū)動電路NMOS驅(qū)動電路做一個簡單分析Vl和Vh分別是低端和的電源，兩個電壓可以是相同的，但是Vl不應(yīng)該超過Vh。Q1和Q2組成了一個反置的圖騰柱，用來實現(xiàn)隔離，同時確保兩只驅(qū)動管Q3和Q4不會同時導(dǎo)通。R2和R3提供了PWM電壓基準(zhǔn)，通過改變這...

正常選擇的型號Vref=），開始一直覺得問題出在TLV431上，后來換了板子竟發(fā)現(xiàn)可以正常穩(wěn)壓（應(yīng)該是上一個板子變壓器和MOS管出現(xiàn)問題，但沒回去驗證），但是mos管很燙，帶載不到十秒鐘就會冒煙，后來經(jīng)過與芯片方案的FAE溝通才發(fā)現(xiàn)，MSP3910的驅(qū)動MOS管的引腳gate腳與MOS管之間的限流電阻用錯物料，mos管工作原理圖是，但實際用的是，更換電阻后可輸出正常電壓，MOS管也不會很燙。下面是解決問題思路：一、用示波器觀察所用MOS管的G極波形，如圖一所示，上升時間接近，下降時間接近<160ns（實測50ns），再看如圖二所示的手冊中對MOS驅(qū)動上升下降沿要求，上升時間要求<35n...

柵極電壓還沒有到達VGS（th），導(dǎo)電溝道沒有形成，MOSFET仍處于關(guān)閉狀態(tài)。2.[t1-t2]區(qū)間,GS間電壓到達Vgs（th），DS間導(dǎo)電溝道開始形成，MOSFET開啟，DS電流增加到ID,Cgs2迅速充電，Vgs由Vgs（th）指數(shù)增長到Va。3.[t2-t3]區(qū)間,MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同,產(chǎn)生Millier效應(yīng)，Cgd電容增加,柵極電流持續(xù)流過，由于Cgd電容急劇增大，抑制了柵極電壓對Cgs的充電,從而使得Vgs近乎水平狀態(tài)，Cgd電容上電壓增加,而DS電容上的電壓繼續(xù)減小。4.[t3-t4]區(qū)間,至t3時刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導(dǎo)通時的電壓,Mil...

CE極間相當(dāng)“短路”,即呈“開”的狀態(tài)。三極管在截止?fàn)顟B(tài)(發(fā)射結(jié)、集電結(jié)都是反偏置)時,其CE極間的電流極小(硅管基本上量不到),相當(dāng)于“斷開(即‘關(guān)’)”的狀態(tài)。三極管開關(guān)電路的特點是開關(guān)速度極快,遠遠比機械開關(guān)快;沒有機械接點,不產(chǎn)生電火花;開關(guān)的控制靈敏,對控制信號的要求低;導(dǎo)通時開關(guān)的電壓降比機械開關(guān)大,關(guān)斷時開關(guān)的漏電流比機械開關(guān)大;不宜直接用于高電壓、強電流的控制。2020-08-30什么是高反壓開關(guān)三極管晶體三極管工作在開關(guān)狀態(tài)時，發(fā)射結(jié)的電壓小于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，基極電流為零，集電極電流和發(fā)射極電流都為零，集電極和發(fā)射極之間相當(dāng)于開關(guān)的斷開狀態(tài)，即為三極管的截止?fàn)顟B(tài)。開...

總的來說場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管，而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。①封裝②類型（NMOS、PMOS）③耐壓Vds（器件在斷開狀態(tài)下漏極和源極所能承受的比較大的電壓）④飽和電流Id⑤導(dǎo)通阻抗Rds⑥柵極閾值電壓Vgs(th)9.從MOS管實物識別管腳無論是NMOS還是PMOS按上圖方向擺正，中間的一腳為D，左邊為G，右邊為S?；蛘哌@么記：單獨的一腳為D，逆時針轉(zhuǎn)DGS。這里順便提一下三極管的管腳識別：同樣按照上圖方向擺正，中間一腳為C，左邊為B，右邊為E。管腳編號從G腳開始，逆時針123三極管的管腳編號同樣從B腳開始，逆...

通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。8、結(jié)型MOS管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態(tài)下保存，而絕緣柵型MOS管在不使用時，由于它的輸入電阻非常高，須將各電極短路，以免外電場作用而使管子損壞。9、焊接時，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對于少量焊接，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵MOS管時，要按源極-漏極-柵極的先后順序焊接，并且要斷電焊接。10、用25W電烙鐵焊接時應(yīng)迅速，若用45~75W電烙鐵焊接，應(yīng)用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱。結(jié)型MOS管可...

MOS管應(yīng)用電壓的極性和我們普通的晶體三極管相同，N溝道的類似NPN晶體三極管，漏極D接正極，源極S接負極，柵極G正電壓時導(dǎo)電溝道建立，N溝道MOS管開始工作,如圖二所示。同樣P道的類似PNP晶體三極管，漏極D接負極，源極S接正極，柵極G負電壓時，導(dǎo)電溝道建立，P溝道MOS管開始工作,如圖圖四所示；五、MOS管的工作原理。從上圖一可以看出增強型MOS管的漏極D和源極S之間有兩個背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵-源電壓VGS=0時，即使加上漏-源電壓VDS，總有一個PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏-源極間沒有導(dǎo)電溝道（沒有電流流過），所以這時漏極電流ID=0。此時若在柵-源極間加上正向電壓，圖二所示，即VGS...

三極管和MOS管的開關(guān)功能哪個略勝一籌我們在做電路設(shè)計中三極管和mos管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制.2、成本問題：三極管便宜，MOS管貴。3、功耗問題：三極管損耗大。4、驅(qū)動能力：MOS管常用來電源開關(guān)，以及大電流地方開關(guān)電路。實際上就是三極管比較便宜，用起來方便，常用在數(shù)字電路開關(guān)控制。MOS管用于高頻高速電路，大電流場合，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來說低成本場合，普通應(yīng)用的先考慮用三極管，不行的話考慮MOS管實際上說電流控制慢，電壓控制快這種理解是不對的。要真正理解得了解雙極晶體管和mos晶體管的工作方式才能明白。三...

由于MOS管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓uGS決定其工作狀態(tài)。下面以NMOS管為例介紹其特性。圖(a)為由NMOS增強型管構(gòu)成的開關(guān)電路。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時的情況(低端驅(qū)動)，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時的情況(驅(qū)動)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在驅(qū)動中，通常還是使用NMOS。(以N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)它是利用VGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達到控制...

器件的結(jié)溫等于大環(huán)境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積（結(jié)溫=大環(huán)境溫度+［熱阻×功率耗散］）。根據(jù)這個式子可解出系統(tǒng)的大功率耗散，即按定義相等于I2×RDS（ON）。我們已將要通過器件的大電流，可以計算出不同溫度下的RDS（ON）。另外，還要做好電路板及其MOS管的散熱。雪崩擊穿是指半導(dǎo)體器件上的反向電壓超過大值，并形成強電場使器件內(nèi)電流增加。晶片尺寸的增加會提高抗雪崩能力，終提高器件的穩(wěn)健性。因此選擇更大的封裝件可以有效防止雪崩。4.選擇MOS管的后一步是決定MOS管的開關(guān)性能。影響開關(guān)性能的參數(shù)有很多，但重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產(chǎn)生開關(guān)損耗，因...

CE極間相當(dāng)“短路”,即呈“開”的狀態(tài)。三極管在截止?fàn)顟B(tài)(發(fā)射結(jié)、集電結(jié)都是反偏置)時,其CE極間的電流極小(硅管基本上量不到),相當(dāng)于“斷開(即‘關(guān)’)”的狀態(tài)。三極管開關(guān)電路的特點是開關(guān)速度極快,遠遠比機械開關(guān)快;沒有機械接點,不產(chǎn)生電火花;開關(guān)的控制靈敏,對控制信號的要求低;導(dǎo)通時開關(guān)的電壓降比機械開關(guān)大,關(guān)斷時開關(guān)的漏電流比機械開關(guān)大;不宜直接用于高電壓、強電流的控制。2020-08-30什么是高反壓開關(guān)三極管晶體三極管工作在開關(guān)狀態(tài)時，發(fā)射結(jié)的電壓小于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，基極電流為零，集電極電流和發(fā)射極電流都為零，集電極和發(fā)射極之間相當(dāng)于開關(guān)的斷開狀態(tài)，即為三極管的截止?fàn)顟B(tài)。開...

控制柵極電壓VGS的大小就可以控制漏極電流ID的大小。這就可以得出如下結(jié)論：1）MOS管是一個由改變電壓來控制電流的器件，所以是電壓器件。2）MOS管道輸入特性為容性特性，所以輸入阻抗極高。4、MOS管的電壓極性和符號規(guī)則：圖1-4-（a）是N溝道MOS管的符號，圖中D是漏極，S是源極，G是柵極，中間的箭頭表示襯底，如果箭頭向里表示是N溝道的MOS管，箭頭向外表示是P溝道的MOS管。實際在MOS管生產(chǎn)的過程中襯底在出廠前就和源極連接，所以在符號的規(guī)則中，表示襯底的箭頭也必須和源極相連接，以區(qū)別漏極和源極。圖1-4-（c）是P溝道MOS管的符號。MOS管應(yīng)用電壓的極性和我們普通的晶體三極...