如何提高打包帶生產(chǎn)線的產(chǎn)能性能?
打包帶生產(chǎn)線產(chǎn)能性能與產(chǎn)品質(zhì)量之間的關(guān)系是怎樣的?
不同類型打包帶生產(chǎn)線(如 PP 與 PET)的產(chǎn)能有何差異?
哪些因素會對打包帶生產(chǎn)線的產(chǎn)能產(chǎn)生影響?
打包帶生產(chǎn)線的產(chǎn)能一般如何衡量?
塑鋼打包帶生產(chǎn)中的收卷工藝對產(chǎn)品質(zhì)量有什么影響?其原理如何?
塑鋼打包帶生產(chǎn)中的冷卻環(huán)節(jié)有什么重要意義?其原理是怎樣的?
在塑鋼打包帶生產(chǎn)中,拉伸工藝是如何影響其性能的?原理是什么?
塑鋼打包帶的擠出工藝在生產(chǎn)原理中起到什么關(guān)鍵作用?
塑鋼打包帶是由哪些主要材料構(gòu)成的?其在生產(chǎn)原理中如何相互作用
MEMS制作工藝-太赫茲超導(dǎo)混頻陣列的MEMS體硅集成天線與封裝技術(shù):
太赫茲波是天文探測領(lǐng)域的重要波段,太赫茲波探測對提升人類認(rèn)知宇宙的能力有重要意義。太赫茲超導(dǎo)混頻接收機(jī)是具有代表性的高靈敏天文探測設(shè)備。天線及混頻芯片封裝是太赫茲接收前端系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。當(dāng)前,太赫茲超導(dǎo)接收機(jī)多采用單獨(dú)的金屬喇叭天線和金屬封裝,很難進(jìn)行高集成度陣列擴(kuò)展。大規(guī)模太赫茲陣列接收機(jī)發(fā)展很大程度受到天線及芯片封裝技術(shù)的制約。課題擬研究基于MEMS體硅工藝技術(shù)的適合大規(guī)模太赫茲超導(dǎo)接收陣列應(yīng)用的0.4THz以上頻段高性能集成波紋喇叭天線,及該天線與超導(dǎo)混頻芯片一體化封裝。通過電磁場理論分析、電磁場數(shù)值建模與仿真、低溫超導(dǎo)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證等手段, 有哪些較為前沿的MEMS傳感器的供應(yīng)廠家?新型MEMS微納米加工共同合作
MEMS具有以下幾個基本特點(diǎn),微型化、智能化、多功能、高集成度和適于大批量生產(chǎn)。MEMS技術(shù)的目標(biāo)是通過系統(tǒng)的微型化、集成化來探索具有新原理、新功能的元件和系統(tǒng)。 MEMS技術(shù)是一種典型的多學(xué)科交叉的前沿性研究領(lǐng)域,幾乎涉及到自然及工程科學(xué)的所有領(lǐng)域,如電子技術(shù)、機(jī)械技術(shù)、物理學(xué)、化學(xué)、生物醫(yī)學(xué)、材料科學(xué)、能源科學(xué)等。MEMS是一個單獨(dú)的智能系統(tǒng),可大批量生產(chǎn),其系統(tǒng)尺寸在幾毫米乃至更小,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級。例如,常見的MEMS產(chǎn)品尺寸一般都在3mm×3mm×1.5mm,甚至更小。微機(jī)電系統(tǒng)在國民經(jīng)濟(jì)和更高級別的系統(tǒng)方面將有著廣泛的應(yīng)用前景。主要民用領(lǐng)域是電子、醫(yī)學(xué)、工業(yè)、汽車和航空航天系統(tǒng)。河北MEMS微納米加工的傳感器EBL設(shè)備制備納米級超表面器件的原理是什么?
MEMS發(fā)展的目標(biāo)在于,通過微型化、集成化來探索新原理、新功能的元件和系統(tǒng),開辟一個新技術(shù)領(lǐng)域和產(chǎn)業(yè)。MEMS可以完成大尺寸機(jī)電系統(tǒng)所不能完成的任務(wù),也可嵌入大尺寸系統(tǒng)中,把自動化、智能化和可靠性水平提高到一個新的水平。21世紀(jì)MEMS將逐步從實(shí)驗(yàn)室走向?qū)嵱没?,對工農(nóng)業(yè)、信息、環(huán)境、生物工程、醫(yī)療、空間技術(shù)和科學(xué)發(fā)展產(chǎn)生重大影響。MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))大量用于汽車安全氣囊,而后以MEMS傳感器的形式被大量應(yīng)用在汽車的各個領(lǐng)域,隨著MEMS技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,以及應(yīng)用終端“輕、薄、短、小”的特點(diǎn),對小體積高性能的MEMS產(chǎn)品需求增勢迅猛,消費(fèi)電子、醫(yī)療等領(lǐng)域也大量出現(xiàn)了MEMS產(chǎn)品的身影。
MEMS四種刻蝕工藝的不同需求:
1.體硅刻蝕:一些塊體蝕刻些微機(jī)電組件制造過程中需要蝕刻挖除較大量的Si基材,如壓力傳感器即為一例,即通過蝕刻硅襯底背面形成深的孔洞,但未蝕穿正面,在正面形成一層薄膜。還有其他組件需蝕穿晶圓,不是完全蝕透晶背而是直到停在晶背的鍍層上。基于Bosch工藝的一項(xiàng)特點(diǎn),當(dāng)要維持一個近乎于垂直且平滑的側(cè)壁輪廓時(shí),是很難獲得高蝕刻率的。因此通常為達(dá)到很高的蝕刻率,一般避免不了伴隨產(chǎn)生具有輕微傾斜角度的側(cè)壁輪廓。不過當(dāng)采用這類塊體蝕刻時(shí),工藝中很少需要垂直的側(cè)壁。
2.準(zhǔn)確刻蝕:精確蝕刻精確蝕刻工藝是專門為體積較小、垂直度和側(cè)壁輪廓平滑性上升為關(guān)鍵因素的組件而設(shè)計(jì)的。就微機(jī)電組件而言,需要該方法的組件包括微光機(jī)電系統(tǒng)及浮雕印模等。一般說來,此類特性要求,蝕刻率的均勻度控制是遠(yuǎn)比蝕刻率重要得多。由于蝕刻劑在蝕刻反應(yīng)區(qū)附近消耗率高,引發(fā)蝕刻劑密度相對降低,而在晶圓邊緣蝕刻率會相應(yīng)地增加,整片晶圓上的均勻度問題應(yīng)運(yùn)而生。上述問題可憑借對等離子或離子轟擊的分布圖予以校正,從而達(dá)到均鐘刻的目的。 MEMS制作工藝中,以PI為特色的柔性電子出現(xiàn)填補(bǔ)了不少空白。
MEMS制作工藝-太赫茲脈沖輻射探測:
光電導(dǎo)取樣光電導(dǎo)取樣是基于光導(dǎo)天線(photoconductiveantenna,PCA)發(fā)射機(jī)理的逆過程發(fā)展起來的一種探測THz脈沖信號的探測技術(shù)。如要對THz脈沖信號進(jìn)行探測,首先,需將一個未加偏置電壓的PCA放置于太赫茲光路之中,以便于一個光學(xué)門控脈沖(探測脈沖)對其門控。其中,這個探測脈沖和泵浦脈沖有可調(diào)節(jié)的時(shí)間延遲關(guān)系,而這個關(guān)系可利用一個延遲線來加以實(shí)現(xiàn),爾后,用一束探測脈沖打到光電導(dǎo)介質(zhì)上,這時(shí)在介質(zhì)中能夠產(chǎn)生出電子-空穴對(自由載流子),而此時(shí)同步到達(dá)的太赫茲脈沖則作為加在PCA上的偏置電場,以此來驅(qū)動那些載流子運(yùn)動,從而在PCA中形成光電流。用一個與PCA相連的電流表來探測這個電流即可, MEMS技術(shù)的主要分類有哪些?山西MEMS微納米加工之柔性電極定制
MEMS的磁敏感器是什么?新型MEMS微納米加工共同合作
MEMS制作工藝-聲表面波器件SAW:
聲表面波是一種沿物體表面?zhèn)鞑サ膹椥圆ǎ軌蛟诩孀鱾髀暯橘|(zhì)和電聲換能材料的壓電基底材料表面進(jìn)行傳播。它是聲學(xué)和電子學(xué)相結(jié)合的一門邊緣學(xué)科。由于聲表面波的傳播速度比電磁波慢十萬倍,而且在它的傳播路徑上容易取樣和進(jìn)行處理。因此,用聲表面波去模擬電子學(xué)的各種功能,能使電子器件實(shí)現(xiàn)超小型化和多功能化。隨著微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的發(fā)展進(jìn)步,聲表面波研究向諸多領(lǐng)域進(jìn)行延伸研究。上世紀(jì)90年代,已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了利用聲表面波驅(qū)動固體。進(jìn)入二十一世紀(jì),聲表面波SAW在微流體應(yīng)用研究取得了巨大的發(fā)展。應(yīng)用聲表面波器件可以實(shí)現(xiàn)固體驅(qū)動、液滴驅(qū)動、微加熱、微粒集聚\混合、霧化。 新型MEMS微納米加工共同合作