雙向可控硅介紹“雙向可控硅”：是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且需一個(gè)觸發(fā)電路，是比較理想的交流開(kāi)關(guān)器件。其英文名稱(chēng)TRIAC即三端雙向交流開(kāi)關(guān)之意。兩極雙向可控硅用萬(wàn)用表測(cè)量好壞方法一：測(cè)量極間電阻法。將萬(wàn)用表置于皮R&TImes;1k檔，如果測(cè)得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬(wàn)用表置于R&TImes;10檔測(cè)得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆時(shí)，就說(shuō)明雙向可控硅是好的，可以使用；反之，若測(cè)得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時(shí)．就說(shuō)明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；如果測(cè)得T1－G之間的正反向電阻很大（接近∞）時(shí)，說(shuō)明控制極G與主電極T1之間內(nèi)部接觸不良或開(kāi)路損壞，也不能使用。方法二：檢查觸發(fā)導(dǎo)通能力。萬(wàn)用表置于R&TImes;10檔：①如圖，1（a）所示，用黑表筆接主電極T2，紅表筆接T1，即給T2加正向電壓，再用短路線(xiàn)將G與T1（或T2）短接一下后離開(kāi)，如果表頭指針發(fā)生了較大偏轉(zhuǎn)并停留在一固定位置，說(shuō)明雙向可控硅中的一部分（其中一個(gè)單向可控硅）是好的，如圖1（b）所示，改黑表筆接主電極T1，紅表筆接T2，即給T1加正向電壓。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。上海英飛凌可控硅現(xiàn)貨

    中文名單向可控硅外文名SCR:SiliconControlledRectifier別名可控硅整流器性質(zhì)電子元件目錄1結(jié)構(gòu)控制2對(duì)比3引腳區(qū)分4性能檢測(cè)5單向和雙向可控硅的區(qū)分單向可控硅結(jié)構(gòu)控制編輯單向可控硅為具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)，由外層的P層、N層引出兩個(gè)電極――陽(yáng)極A和陰極K，由中間的P層引出控制極G。電路符號(hào)好像為一只二極管，但好多一個(gè)引出電極――控制極或觸發(fā)極G。SCR或MCR為英文縮寫(xiě)名稱(chēng)。從控制原理上可等效為一只PNP三極管和一只NPN三極管的連接電路，兩管的基極電流和集電極電流互為通路，具有強(qiáng)烈的正反反饋?zhàn)饔?。一旦從G、K回路輸入NPN管子的基極電流，由于正反饋?zhàn)饔茫瑑晒軐⒀讣催M(jìn)入飽合導(dǎo)通狀態(tài)?？煽毓鑼?dǎo)通之后，它的導(dǎo)通狀態(tài)完全依靠管子本身的正反饋?zhàn)饔脕?lái)維持，即使控制電流（電壓）消失，可控硅仍處于導(dǎo)通狀態(tài)?？刂菩盘?hào)UGK的作用是觸發(fā)可控硅使其導(dǎo)通，導(dǎo)通之后，控制信號(hào)便失去控制作用。單向可控硅的導(dǎo)通需要兩個(gè)條件：1）A、K之間加正向電壓；2）G、K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電流信號(hào)，無(wú)論是直流或脈沖信號(hào)。若欲使可控硅關(guān)斷，也有兩個(gè)關(guān)斷條件：1）使正向?qū)娏髦敌∮谄涔ぷ骶S持電流值；2）使A、K之間電壓反向?？梢?jiàn)，可控硅器件若用于直流電路。上海英飛凌可控硅現(xiàn)貨它的符號(hào)也和普通可控硅不同，是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫(huà)成的。

    電源電壓為反向電壓，加上感性負(fù)載自感電動(dòng)勢(shì)el作用，使得雙向可控硅承受的電壓值遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)電源電壓。雖然雙向可控硅反向?qū)ǎ菀讚舸?，故必須使雙向可控硅能承受這種反向電壓。一般在雙向可控硅兩極間并聯(lián)一個(gè)RC阻容吸收電路，實(shí)現(xiàn)雙向可控硅過(guò)電壓保護(hù)，圖3中的C2、R8為RC阻容吸收電路。雙向可控硅結(jié)構(gòu)原理圖雙向可控硅屬于NPNPN五層器件，三個(gè)電極分別是T1、T2、G。盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合，但實(shí)際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件。因該器件可以雙向?qū)ǎ食T(mén)極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱(chēng)為主端子，用T1、T2。表示，不再劃分成陽(yáng)極或陰極。其特點(diǎn)是，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1，的電壓均為正時(shí)，T2是陽(yáng)極，T1是陰極。反之，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1的電壓均為負(fù)時(shí)，T1變成陽(yáng)極，T2為陰極。雙向可控硅由于正、反向特性曲線(xiàn)具有對(duì)稱(chēng)性，所以它可在任何一個(gè)方向?qū)āＯ啾扔趩蜗蚩煽毓?，雙向可控硅在原理上大的區(qū)別就是能雙向?qū)?，不再有?yáng)極陰極之分，取而代之以T1和T2，其結(jié)構(gòu)示意圖如下圖2（a）所示，如果不考慮G級(jí)的不同，把它分割成圖2（b）所示，可以看出相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向并聯(lián)而成，如圖2（c）所示連接。

    可控硅基礎(chǔ)知識(shí)環(huán)昕微可控硅基礎(chǔ)知識(shí)，缺少一個(gè)價(jià)電子而在共價(jià)鍵中留下一個(gè)空穴。在P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子，它主要由摻雜形成；自由電子是少數(shù)載流子，由熱激發(fā)形成?？昭ê苋菀追@電子，使雜質(zhì)原子成為負(fù)離子。三價(jià)雜質(zhì)因而也稱(chēng)為受主雜質(zhì)。，而多余的一個(gè)價(jià)電子因無(wú)共價(jià)鍵束縛而很容易形成自由電子。在N型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子，它主要由雜質(zhì)原子提供；空穴是少數(shù)載流子,由熱激發(fā)形成。提供自由電子的五價(jià)雜質(zhì)原子因帶正電荷而成為正離子，因此五價(jià)雜質(zhì)原子也稱(chēng)為施主雜質(zhì)。在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合后，由于N型區(qū)內(nèi)電子很多而空穴很少，而P型區(qū)內(nèi)空穴很多電子很少，在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差別。這樣，電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴(kuò)散。于是，有一些電子要從N型區(qū)向P型區(qū)擴(kuò)散，也有一些空穴要從P型區(qū)向N型區(qū)擴(kuò)散。它們擴(kuò)散的結(jié)果就使P區(qū)一邊失去空穴，留下了帶負(fù)電的雜質(zhì)離子,N區(qū)一邊失去電子，留下了帶正電的雜質(zhì)離子。半導(dǎo)體中的離子不能任意移動(dòng)，因此不參與導(dǎo)電。這些不能移動(dòng)的帶電粒子在P和N區(qū)交界面附近，形成了一個(gè)很薄的空間電荷區(qū)，就是所謂的PN結(jié)。4.單向可控硅介紹（1）4.單向可控硅介紹。允許通過(guò)的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用。

    [1]可控硅開(kāi)關(guān)特點(diǎn)及應(yīng)用編輯可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng)，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。[2]可控硅開(kāi)關(guān)鑒別硅電極編輯普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R×100擋位來(lái)測(cè)。大家知道，晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)(a)，相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極、K為負(fù)極，所以，按照測(cè)試二極管的方法，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極，測(cè)它的正、反向電阻，電阻小時(shí)，萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個(gè)就是陽(yáng)極A了。測(cè)試晶閘管的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路。接通電源開(kāi)關(guān)S，按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。[3]鑒別原理鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。上海英飛凌可控硅現(xiàn)貨

這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴}，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。上海英飛凌可控硅現(xiàn)貨

    陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通）。[3]鑒別注意事項(xiàng)控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過(guò)，因此，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小，并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí)，萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿。[3]若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路，或陽(yáng)極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說(shuō)明元件已損壞。[3]可控硅開(kāi)關(guān)封裝形式品牌編輯常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。[2]可控硅的主要廠(chǎng)家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX，SANREX，SANKEN，SEMIKRON，EUPEC，IR等。上海英飛凌可控硅現(xiàn)貨