1引言本文引用地址：article/201808/(InsulatedGateBipolarTransistor,絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(Metallicoxidesemiconductorfieldeffecttransistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等高頻自關(guān)斷器件應(yīng)用的日益***,驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就顯得尤為重要。本文介紹了一種以CONCEPT公司的IGD515EI驅(qū)動(dòng)器為主要器件構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路,適用于大功率、高耐壓IGBT模塊串、并聯(lián)電路的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)。通過(guò)光纖傳輸驅(qū)動(dòng)及狀態(tài)識(shí)別信號(hào),進(jìn)行高壓隔離傳輸,具有良好的抗電磁干擾性能和高于15A的驅(qū)動(dòng)電流。因此,該電路適用于高壓大功率場(chǎng)合。在隔離的高電位端,IGD515EI內(nèi)部的DC-DC電源模塊只需一路驅(qū)動(dòng)電源就能夠產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng)所需的±15V電源。器件內(nèi)還包括功率管的過(guò)流和短路保護(hù)電路,以及信號(hào)反饋檢測(cè)功能。該電路是一種性能優(yōu)異、成熟的驅(qū)動(dòng)電路。2IGD515EI在剛管調(diào)制器中的應(yīng)用雷達(dá)發(fā)射機(jī)常用的調(diào)制器一般有三種類型:軟性開(kāi)關(guān)調(diào)制器、剛性開(kāi)關(guān)調(diào)制器和浮動(dòng)板調(diào)制器。浮動(dòng)板調(diào)制器一般用于控制極調(diào)制的微波電子管,而對(duì)于陰調(diào)的微波管則只能采用軟性開(kāi)關(guān)調(diào)制器和剛性開(kāi)關(guān)調(diào)制器。由于軟性開(kāi)關(guān)調(diào)制器不易實(shí)現(xiàn)脈寬變化,故在陰調(diào)微波管發(fā)射機(jī)的脈寬要求變化時(shí)。在照明、工業(yè)、消費(fèi)、交通、醫(yī)療、可再生能源、電力傳輸?shù)缺姸囝I(lǐng)域中獲得了***的應(yīng)用。遼寧光模塊

    為了實(shí)現(xiàn)所述***導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11與銅底板3的固定連接，所述銅底板3上涂覆有硅凝膠，所述硅凝膠對(duì)所述***導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11進(jìn)行包覆固定。從而，所述銅底板3通過(guò)所述硅凝膠實(shí)現(xiàn)對(duì)位于其上的***導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11進(jìn)行固定。所述第二晶閘管單元包括：第二壓塊12、第二門極壓接式組件13、第三導(dǎo)電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17。其中，所述第二壓塊12設(shè)置于所述第二門極壓接式組件13上，并通過(guò)所述第二門極壓接式組件13對(duì)所述第三導(dǎo)電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17施加壓合作用力，所述第三導(dǎo)電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17依次設(shè)置于所述銅底板3上。為了實(shí)現(xiàn)所述第三導(dǎo)電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17與銅底板3的固定連接，所述銅底板3上涂覆有硅凝膠，所述硅凝膠對(duì)所述第三導(dǎo)電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17進(jìn)行包覆固定。從而，所述銅底板3通過(guò)所述硅凝膠實(shí)現(xiàn)對(duì)位于其上的第三導(dǎo)電片14、鉬片15、銀片16、鋁片17進(jìn)行固定。進(jìn)一步地，所述***接頭4包括：***螺栓和***螺母，所述***螺栓和***螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。相應(yīng)地，所述第二接頭5包括：第二螺栓和第二螺母，所述第二螺栓和第二螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。福建有什么模塊進(jìn)貨價(jià)IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）模塊是一種常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器。

    這要由具體的應(yīng)用和所使用的功率管決定。比較大柵極充電電流是±15A,充電電流由外接的柵極電阻限定。如果將25腳G通過(guò)電阻直接與IGBT:G相連,IGBT的驅(qū)動(dòng)波形上升沿較大,但I(xiàn)GBT導(dǎo)通后上升較快,如圖2所示;圖2IGD515EI輸出端不加MOS管時(shí)IGBT的驅(qū)動(dòng)波形(-14V~+12V,5V/p,5μs/p)如果在25腳與IGBT:G中間串入一只MOS管,進(jìn)行電流放大,可有效地減小IGBT驅(qū)動(dòng)波形的上升沿,縮短IGBT的導(dǎo)通過(guò)程,減小IGBT離散性造成的導(dǎo)通不一致性,減小動(dòng)態(tài)均壓電路的壓力,但I(xiàn)GBT導(dǎo)通后上升較慢,其波形如圖3所示。圖3IGD515EI輸出端加MOS管時(shí)IGBT的驅(qū)動(dòng)波形(-14V~+12V,5V/p,5μs/p)(1)響應(yīng)時(shí)間電容和中斷時(shí)間電容選擇功率管,特別是IGBT的導(dǎo)通需要幾個(gè)微秒,因此功率管導(dǎo)通后要延遲一段時(shí)間才能對(duì)其管壓降進(jìn)行監(jiān)測(cè),以確定IGBT是否過(guò)流,這個(gè)延遲即為“響應(yīng)時(shí)間”。響應(yīng)時(shí)間電容CME的作用是和內(nèi)部Ω上拉電阻構(gòu)成數(shù)微秒級(jí)的延時(shí)ta,CME的計(jì)算方法如下:在IGBT導(dǎo)通以后,通過(guò)IGD515EI內(nèi)部的檢測(cè)電路對(duì)19腳的檢測(cè)電壓(IGBT的導(dǎo)通壓降)進(jìn)行檢測(cè)。若導(dǎo)通壓降高于設(shè)定的門限,則認(rèn)為IGBT處于過(guò)流工作狀態(tài),由IGD515EI的35腳送出IGBT過(guò)流故障信號(hào),經(jīng)光纖送給控制電路,將驅(qū)動(dòng)信號(hào)***一小段時(shí)間。這段時(shí)間為截止時(shí)間tb。

    IGBT模塊上有一個(gè)“續(xù)流二極管”。它有什么作用呢？答：當(dāng)PWM波輸出的時(shí)候，它是維持電機(jī)內(nèi)的電流不斷用的。我在說(shuō)明變頻器逆變?cè)淼臅r(shí)候，用的一個(gè)電阻做負(fù)載。電阻做負(fù)載，它上面的電流隨著電壓有通斷而通斷，上圖所示的原理沒(méi)有問(wèn)題。但變頻器實(shí)際是要驅(qū)動(dòng)電機(jī)的，接在電機(jī)的定子上面，定子是一組線圈繞成的，就是“電感”。電感有一個(gè)特點(diǎn)：它的內(nèi)部的電流不能進(jìn)行突變。所以當(dāng)采用PWM波輸出電壓波形時(shí)，加在電機(jī)上的電壓就是“斷斷續(xù)續(xù)”的，這樣電機(jī)內(nèi)的電流就會(huì)“斷斷續(xù)續(xù)”的，這就給電機(jī)帶來(lái)嚴(yán)重的后果：由于電感斷流時(shí)，會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)，這個(gè)電動(dòng)勢(shì)加在IGBT上面，對(duì)IGBT會(huì)有損害。解決的辦法：在IGBT的CE極上并聯(lián)“續(xù)流二極管”。有了這個(gè)續(xù)流二極管，電機(jī)的電流就是連續(xù)的。具體怎么工作的呢？如下圖，負(fù)載上換成了一個(gè)電感L。當(dāng)1/4開(kāi)通時(shí)，電感上會(huì)有電流流過(guò)。然后PWM波控制1/4關(guān)斷，這樣上圖中標(biāo)箭頭的這個(gè)電路中就沒(méi)有電流流過(guò)。由于電感L接在電路中，電感的特性，電流不能突然中斷，所以電感中此時(shí)還有電流流過(guò)，同時(shí)因?yàn)殡娐飞想娏髦袛嗔?，?dǎo)致它會(huì)產(chǎn)生一個(gè)反電動(dòng)勢(shì)，這個(gè)反電動(dòng)勢(shì)將通過(guò)3的續(xù)流二極管加到正極上，由于正極前面有濾波電容。新能源汽車上用的IGBT模塊，客戶要求CTI值大于250V左右.

    IOTIOT+關(guān)注IoT是InternetofThings的縮寫(xiě)，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（InternetofThings）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。海思海思+關(guān)注UHDUHD+關(guān)注UHD是”超高清“的意思UHD的應(yīng)用在電視機(jī)技術(shù)上**為普遍，目前已有不少?gòu)S商推出了UHD超高清電視。74ls7474ls74+關(guān)注74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多，可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計(jì)數(shù)器等功能。本章詳細(xì)介紹了74ls112的功能及原理，74ls74引腳圖及功能表，74ls112的應(yīng)用等內(nèi)容。STC12C5A60S2STC12C5A60S2+關(guān)注在眾多的51系列單片機(jī)中，要算國(guó)內(nèi)STC公司的1T增強(qiáng)系列更具有競(jìng)爭(zhēng)力，因他不但和8051指令、管腳完全兼容，而且其片內(nèi)的具有大容量程序存儲(chǔ)器且是FLASH工藝的，如STC12C5A60S2單片機(jī)內(nèi)部就自帶高達(dá)60KFLASHROM，這種工藝的存儲(chǔ)器用戶可以用電的方式瞬間擦除、改寫(xiě)。ProtuesProtues+關(guān)注Proteus軟件是英國(guó)LabCenterElectronics公司出版的EDA工具軟件（該軟件中國(guó)總代理為廣州風(fēng)標(biāo)電子技術(shù)有限公司）。它不*具有其它EDA工具軟件的仿真功能，還能仿真單片機(jī)及**器件。IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成，如金屬，陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來(lái)改善熱性能的硅膠。江蘇模塊智能系統(tǒng)

雖然IGBT聽(tīng)著**，但基本上用電的地方都有IGBT的身影。遼寧光模塊

    從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過(guò)程迅速進(jìn)行。從圖3，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí)，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia.這時(shí)，流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（1—1）中，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后，門極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽(yáng)極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí)，由于a1和a1迅速下降，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時(shí)，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)?？申P(guān)斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控晶閘管。其主要特點(diǎn)為，當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。前已述及，普通晶閘管（SCR）靠門極正信號(hào)觸發(fā)之后，撤掉信號(hào)亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷，必須切斷電源，使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強(qiáng)近關(guān)斷。這就需要增加換向電路。遼寧光模塊