三極管和MOS管的開關(guān)功能哪個(gè)略勝一籌我們?cè)谧鲭娐吩O(shè)計(jì)中三極管和mos管做開關(guān)用時(shí)候有什么區(qū)別工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制.2、成本問題：三極管便宜，MOS管貴。3、功耗問題：三極管損耗大。4、驅(qū)動(dòng)能力：MOS管常用來(lái)電源開關(guān)，以及大電流地方開關(guān)電路。實(shí)際上就是三極管比較便宜，用起來(lái)方便，常用在數(shù)字電路開關(guān)控制。MOS管用于高頻高速電路，大電流場(chǎng)合，以及對(duì)基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來(lái)說(shuō)低成本場(chǎng)合，普通應(yīng)用的先考慮用三極管，不行的話考慮MOS管實(shí)際上說(shuō)電流控制慢，電壓控制快這種理解是不對(duì)的。要真正理解得了解雙極晶體管和mos晶體管的工作方式才能明白。三極管是靠載流子的運(yùn)動(dòng)來(lái)工作的，以npn管射極跟隨器為例，當(dāng)基極加不加電壓時(shí)，基區(qū)和發(fā)射區(qū)組成的pn結(jié)為阻止多子（基區(qū)為空穴，發(fā)射區(qū)為電子）的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，在此pn結(jié)處會(huì)感應(yīng)出2020-08-30三極管的原理,開關(guān)ON和OFF,三個(gè)三極管是怎么導(dǎo)通的閉合開關(guān)，TR1導(dǎo)通致使TR2截止，使TR3基極電平升高，導(dǎo)通燈亮，斷開開關(guān)時(shí)，TR1截止TR2導(dǎo)通，TR3截止燈滅2020-08-30三極管怎樣做開關(guān)三極管在飽和導(dǎo)通(發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都是正偏置)時(shí),其CE極間電壓很小,比PN結(jié)的導(dǎo)通電壓還要低(硅管在)。MOS管是電子電路中常用的功率半導(dǎo)體器件，可以用作電子開關(guān)、可控整流等，是一種電壓驅(qū)動(dòng)型的器件。浙江加工MOS管

    也就是MOS管沒有二次擊穿現(xiàn)象，可見采用MOS管作為開關(guān)管，其開關(guān)管的損壞率大幅度的降低，近兩年電視機(jī)開關(guān)電源采用MOS管代替過去的普通晶體三極管后，開關(guān)管損壞率降低也是一個(gè)極好的證明。11、MOS管導(dǎo)通后其導(dǎo)通特性呈純阻性：普通晶體三極管在飽和導(dǎo)通是，幾乎是直通，有一個(gè)極低的壓降，稱為飽和壓降，既然有一個(gè)壓降，那么也就是；普通晶體三極管在飽和導(dǎo)通后等效是一個(gè)阻值極小的電阻，但是這個(gè)等效的電阻是一個(gè)非線性的電阻（電阻上的電壓和流過的電流不能符合歐姆定律），而MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用，在飽和導(dǎo)通后也存在一個(gè)阻值極小的電阻，但是這個(gè)電阻等效一個(gè)線性電阻，其電阻的阻值和兩端的電壓降和流過的電流符合歐姆定律的關(guān)系，電流大壓降就大，電流小壓降就小，導(dǎo)通后既然等效是一個(gè)線性元件，線性元件就可以并聯(lián)應(yīng)用，當(dāng)這樣兩個(gè)電阻并聯(lián)在一起，就有一個(gè)自動(dòng)電流平衡的作用，所以MOS管在一個(gè)管子功率不夠的時(shí)候，可以多管并聯(lián)應(yīng)用，且不必另外增加平衡措施（非線性器件是不能直接并聯(lián)應(yīng)用的）。MOS管和普通的晶體三極管相比，有以上11項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)，就足以使MOS管在開關(guān)運(yùn)用狀態(tài)下完全取代普通的晶體三極管。目前的技術(shù)MOS管道VDS能做到1000V。浙江加工MOS管雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。

    1.三個(gè)極的判定G極(gate)—柵極，不用說(shuō)比較好認(rèn)S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的：要么都由S指向D，要么都有D指向，那一極連接輸出端2>控制極電平為？V時(shí)MOS管導(dǎo)通3>控制極電平為？V時(shí)MOS管截止NMOS：D極接輸入，S極接輸出PMOS：S極接輸入，D極接輸出反證法加強(qiáng)理解NMOS假如：S接輸入，D接輸出由于寄生二極管直接導(dǎo)通，因此S極電壓可以無(wú)條件到D極，MOS管就失去了開關(guān)的作用PMOS假如：D接輸入，S接輸出同樣失去了開關(guān)的作用—導(dǎo)通時(shí)Ug>Us,Ugs>Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通P溝道—導(dǎo)通時(shí)Ug<Us,Ugs<Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通總之，導(dǎo)通條件：|Ugs|>|Ugs(th)|7.相關(guān)概念BJTBipolarJunctionTransistor雙極性晶體管，BJT是電流控制器件；FETFieldEffectTransistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管，F(xiàn)ET是電壓控制器件.按結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管分為：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱JFET）、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱MOSFET）兩大類按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種.按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。

    P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等。3、MOSMOS管由于輸入阻抗極高，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS管放入塑料盒子內(nèi)，保存時(shí)好放在金屬盒內(nèi)，同時(shí)也要注意管的防潮。4、為了防止MOS管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時(shí)，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等。當(dāng)然，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵，焊接MOS管是比較方便的，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時(shí)，不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用MOS管時(shí)必須注意。5、在安裝MOS管時(shí)，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動(dòng)，有必要將管殼體緊固起來(lái)；管腳引線在彎曲時(shí)，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。6、使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，大功率才能達(dá)到30W。7、多管并聯(lián)后，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加，使放大器的高頻特性變壞。mos管的工作原理是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（簡(jiǎn)稱mos管）。

    不存在少子儲(chǔ)存效應(yīng)，因而關(guān)斷過程非常迅速，開關(guān)時(shí)間在10—100ns之間，工作頻率可達(dá)100kHz以上，普通的晶體三極管由于少數(shù)載流子的存儲(chǔ)效應(yīng)，使開關(guān)總有滯后現(xiàn)象，影響開關(guān)速度的提高（目前采用MOS管的開關(guān)電源其工作頻率可以輕易的做到100K/S～150K/S,這對(duì)于普通的大功率晶體三極管來(lái)說(shuō)是難以想象的）。10、無(wú)二次擊穿：由于普通的功率晶體三極管具有當(dāng)溫度上升就會(huì)導(dǎo)致集電極電流上升（正的溫度～電流特性）的現(xiàn)象，而集電極電流的上升又會(huì)導(dǎo)致溫度進(jìn)一步的上升，溫度進(jìn)一步的上升，更進(jìn)一步的導(dǎo)致集電極電流的上升這一惡性循環(huán)。而晶體三極管的耐壓VCEO隨管溫度升高是逐步下降，這就形成了管溫繼續(xù)上升、耐壓繼續(xù)下降終導(dǎo)致晶體三極管的擊穿，這是一種導(dǎo)致電視機(jī)開關(guān)電源管和行輸出管損壞率占95%的破環(huán)性的熱電擊穿現(xiàn)象，也稱為二次擊穿現(xiàn)象。MOS管具有和普通晶體三極管相反的溫度～電流特性，即當(dāng)管溫度（或環(huán)境溫度）上升時(shí)，溝道電流IDS反而下降。例如；一只IDS=10A的MOSFET開關(guān)管，當(dāng)VGS控制電壓不變時(shí)，在250C溫度下IDS=3A，當(dāng)芯片溫度升高為1000C時(shí)，IDS降低到2A，這種因溫度上升而導(dǎo)致溝道電流IDS下降的負(fù)溫度電流特性，使之不會(huì)產(chǎn)生惡性循環(huán)而熱擊穿。MOS管有 三個(gè)引腳名稱：G：gate 柵極;S：source 源極;D：drain 漏極。浙江加工MOS管

N-MOS管的導(dǎo)通調(diào)節(jié)是G極與S極中間的電壓差超過閾值時(shí)，D極和S極導(dǎo)通。浙江加工MOS管

    我們看下面FLYBACK電流波形圖（圖形不是太清楚，十分抱歉，建議雙擊放大觀看）。從圖中可以看出，電流波形在快到電流尖峰時(shí)，有個(gè)下跌，這個(gè)下跌點(diǎn)后又有一段的上升時(shí)間，這段時(shí)間其本質(zhì)就是IC在檢測(cè)到過流信號(hào)執(zhí)行關(guān)斷后，MOSFET本身也開始執(zhí)行關(guān)斷，但是由于器件本身的關(guān)斷延遲，因此電流會(huì)有個(gè)二次上升平臺(tái)，如果二次上升平臺(tái)過大，那么在變壓器余量設(shè)計(jì)不足時(shí)，就極有可能產(chǎn)生磁飽和的一個(gè)電流沖擊或者電流超器件規(guī)格的一個(gè)失效。3：合理的熱設(shè)計(jì)余量，這個(gè)就不多說(shuō)了，各個(gè)企業(yè)都有自己的降額規(guī)范，嚴(yán)格執(zhí)行就可以了，不行就加散熱器。在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，大電壓等，大電流等，也有很多人考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。1、MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被**成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。浙江加工MOS管

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